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華為展示自研DoB封裝技術 突破大容量SSD儲存極限

anue鉅亨網

更新於 05月26日09:10 • 發布於 05月26日09:10
圖:Pixabay/Unsplash/Pexel

據 Blocks & Files 報導,在 2026 年 5 月巴黎舉行的華為 ID Forum 活動中,華為展示了其自主研發的 Die-on-Board (DoB) 技術,並基於此技術推出了系列大容量 SSD。

報導指出,在美國貿易制裁的背景下,華為難以取得主流供應商 (如三星、美光) 百層以上的 3D NAND 晶片

。為了維持競爭力,華為研發出專有的 Die-on-Board 技術,成功量產 122.88 TB 的超大容量 SSD,並計畫未來推出 245 TB 版本。

傳統 SSD 是將多個 NAND 晶圓封裝在 TSOP 或 BGA 晶片內,再焊接至印刷電路板 (PCB);而華為的 DoB 技術則是將晶圓直接放置在 PCB 上。這種晶圓級封裝技術能實現更緊密的集成,使容量密度提升 33% 並降低成本,儘管其在散熱管理與訊號完整性上面臨較高挑戰。

華為已將此技術應用於 OceanStor Pacific 9926 等儲存系統,在 2U 的機架空間內可容納 36 顆 122.88 TB SSD,提供高達 4.42 PB 的原始容量。此外,華為還展示了針對 AI 優化的 SSD(如 LC 560),採用 36 層堆疊製程突破傳統限制,並在主控晶片中整合 AI 加速單元,達成「存算一體」,使資料傳輸能耗大幅降低 80%。

雖然目前 Kioxia 等廠商已開始向超大規模客戶提供 245 TB SSD 樣本,但華為透過 DoB 技術的自主創新,已顯著縮小與全球頂尖儲存供應商的技術差距。這項技術目前已應用於其 OceanDisk 系列產品,助力企業儲存邁向更高密度與節能的未來。

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