【美股新聞】揭密碳化矽 (SiC)
圖/ShutterStock
近期廣受討論的碳化矽（SiC）技術你真的了解了嗎?本文整理了了圍繞SiC的有幾個常見的值得釐清觀念。
SiC不僅是矽IGBT的替代品：SiC MOSFET的額定電壓為650V，其性能卓越，是矽 MOSFET的有力競爭對手，適用於全橋功率因素校正和同步升壓等多種應用。
SiC適用於高頻應用：雖然最初流行於低頻高功率的應用，但SiC技術近期的進展使其適合於超過100 kHz的高頻操作。
SiC設備供應鏈日益強大：雖然過去確實因供應鏈問題而發展受阻，但近年來，SiC設備的供應鏈已得到加強，可用性得到保障。
SiC應用範圍廣泛：SiC不僅限於高端的利基市場，而是被廣泛應用於電動車充電器、太陽能光伏模塊和雲計算等，因其能提高功率密度和效率。
SiC擁有發展良好的生態系統：SiC的生態系統正迅速發展，市場上已有多種SiC設備和閘極驅動器可供選擇。
SiC閘極驅動器使用簡便：儘管早期設計較為複雜，但現代SiC驅動器已經提供便利的功能，使得SiC更易於驅動。
SiC不一定需要負轉關閘極電壓：雖然負閘極驅動阻斷電壓是一個好的特質，但並非必要，良好的佈局和高電流閘極驅動器也可確保SiC設備性能。
隔離式閘極驅動器提高SiC設計的穩健性：適用於SiC設計的隔離閘極驅動器提供更強的抗噪能力。
SiC的堅固性不遜於矽IGBT：儘管短路耐受時間較短，SiC的寬能隙賦予其良好的突波耐受(avalanche ruggedness)。
SiC解決方案性價比高：雖然SiC設備的價格較高，但其電感器和電容器等組件的整體成本節省使其成為具有成本效益的選擇，SiC 解決方案還提供更高的效率，減少對笨重散熱器的需求。
SiC可適應高電壓：雖然過去認為SiC不耐高電壓，但研究證明其可適應更高電壓，因此有快速切換應用，例如onsemi 就開發了一系列 1700V M1 平面裝置，這些裝置針對快速開關應用進行了最佳化。