搶先一步導入 GAA 製程技術，三星要藉此彎道超車台積電

根據外媒指出，在當前半導體晶圓代工市場中，因為南韓三星將首先自 3 奈米製程開始採用閘極全環電晶體 （Gate-all-around，GAA） 製程技術，而龍頭台積電則預計將自 2 奈米製程同樣開始使用 GAA 製程技術的情況下，這種預計能提高晶片運算效能，以及降低功耗的技術將成為先進半導體製程競爭的新戰場，也成為三星領先台積電的關鍵。

根據南韓媒體 《BusinessKorea》 的報導指出，相較於先前的鰭式電晶體 (FinFET) 來說，GAA 是金屬閘極的全面性包覆，一種環狀的結構，因此比先前 FinFET 金屬閘極只包覆了 3 面來說，更能藉由增加更多的半導體電路，再以閘極來包覆奈米線，如此提高對於電路的控制和穩定性，藉此以提升晶片運算效能，並以及降低晶片的使用功耗。

而因為 GAA 技術被是為半導體製程的革新，因此也被三星視為能夠超車台積電的重要武器之一。報導指出，雖然就 3 奈米製程的發展狀況來說，台積電目前已經開始與蘋果、英特爾進行合作，開始 3 奈米製程的測試工作，並預計於 2022 年下半年量產。而反觀三星，其下的 3 奈米製程預計最快也要到 2022 年才會推出，而正式的量產時間則預計要到 2023 年之際，仍舊落後給台積電。而英特爾方面，目前則還在 7 奈米製程階段，落後台積電與三星一個世代左右。

不過，若從導入GAA 製程技術的角度來看，則三星就可能會超越台積電。原因在於三星自 2022 年就開始試產的 3 奈米製程就開始導入 GAA 製程技術，但是台積電則要到 2023 年才開始由 2 奈米製成導入 GAA 製程技術，更不用說英特爾 2024 年之際，才採用改良自 GAA 製程技術的 RibbonFET 製程來生產 2 奈米製程。所以，就這方面來看，三星將會進一步領先其他的競爭對手，也有機會先取得客戶的青睞。

報導進一步指出，雖然市場上第一個量產 3 奈米製程的頭銜將會由台積電所拿下。不過，首先導入更佳運算效能的 GAA 製程技術則會是三星所搶先。因此，透過 GAA 製程技術的改變，三星預計能藉此將進一步彎道超車台積電。

（首圖來源：Flickr/Jamie McCall CC BY 2.0）