聯電切入下世代玻璃封裝技術
AI帶動先進封裝技術快速演進，聯電（2303）積極布局矽中介層（Interposer）之外，也投入下世代TGV（玻璃穿孔）封裝技術，全面搶食先進封裝商機。
業界分析，TGV並非單一製程，而是涵蓋玻璃基板加工、重布線層（RDL）、玻璃載板貼合、薄化及後段封裝等多道製程。
其中，聯電布局重點並非前段玻璃穿孔或鍍銅填孔，而是聚焦玻璃基板完成TGV後的關鍵整合製程，包括Front-side RDL、Temporary Bond（暫時貼合）、研磨（Grinding）、化學機械研磨（CMP）及後續玻璃載板處理等技術，屬於先進封裝的重要環節。
法人指出，相較於傳統矽中介層，玻璃基板具備低訊號損耗、高平坦度及尺寸穩定等優勢，更有利於高頻、高速傳輸及大尺寸封裝，被視為下一世代AI晶片封裝的重要發展方向，因為在AI GPU、高頻寬記憶體（HBM）及大型晶片封裝需求持續增加趨勢下，玻璃基板有望逐步導入高效能運算（HPC）及AI伺服器應用。
聯電聚焦的RDL、玻璃載板貼合及薄化等製程，均屬玻璃基板進入封裝前的核心技術，也是決定封裝良率與可靠度的重要關鍵。
業界認為，若聯電後續完成相關製程布局，意謂已提前卡位玻璃基板供應鏈，未來可望隨AI封裝技術演進，進一步拓展特殊製程業務版圖，為成熟製程開創新成長動能。