SK海力士揭HBM下一代技術藍圖！TSV翻倍、3D封裝成新戰場　台灣設備股迎新一波商機

AI晶片競賽正從GPU算力一路延燒至記憶體與先進封裝。SK海力士（SK hynix）近期於Hot Chips 2026揭露下一世代HBM技術藍圖，除了HBM4將I/O數量由1024組倍增至2048組之外，後續更將朝增加TSV、Hybrid Bonding（混合鍵合）以及2.5D轉向3D整合發展。隨HBM與AI加速器距離持續縮短，先進封裝設備的技術門檻同步提高，台灣的弘塑（3131）、辛耘（3583）、均華（6640）、志聖（2467）、萬潤（6187）等設備供應鏈，有望成為下一階段HBM軍備競賽的重要受惠者。

▲SK海力士HBM下一代技術藍圖 台灣受惠股

HBM4頻寬突破2TB/s　TSV、I/O同步大增

SK海力士封裝工程副總裁Jaesik Lee在「Advanced Packaging for High-Bandwidth Memory」演講中揭露HBM未來封裝發展方向。

現階段HBM主要透過TSV（矽穿孔）將多層DRAM Die垂直堆疊，再與Base Die整合，最後經由Silicon Interposer與GPU、XPU等AI加速器連接，形成目前AI伺服器最典型的2.5D封裝結構。相較GDDR6，HBM可在更小面積內提供更高容量與頻寬。SK海力士指出，典型GDDR6方案約提供24GB容量與768GB/s頻寬；若採4組HBM3E，容量最高可達144GB、頻寬約4TB/s，占用面積則可減少約一半。

進入HBM4後，規格還將再向上提升。

SK海力士規劃HBM4最高採用24Gb DRAM，I/O數量由HBM3E世代的1024組提高至2048組，I/O速度最高8Gbps，使單一HBM堆疊頻寬突破2TB/s。

HBM4封裝尺寸約12.8×11mm、高度約775微米，最多可具有16,148個Base Micro-Bump以及超過2萬個TSV。12層產品已進入量產階段，16層則持續進行認證，最高容量可達48GB。

換句話說，AI算力持續成長之後，HBM已經不只是「DRAM堆得更多」，而是開始同時進入：

更多TSV、更高I/O、更細互連間距、更高堆疊層數，以及更複雜封裝結構。

這也使設備價值量有機會跟著提高。

16層HBM散熱成難題　Hybrid Bonding正式接棒

HBM持續往12層、16層發展後，另一項棘手問題則是散熱與晶片翹曲。

目前HBM主要存在TC+NCF，以及MR+MUF兩種封裝方式。前者對Die翹曲控制較有優勢，但熱阻較高、產能受限；MR+MUF則具有較高生產效率與較低熱阻，但對翹曲、窄間隙填充等製程控制提出更高要求。

SK海力士已將先進MR-MUF導入16層HBM3E，但面對下一世代HBM功耗繼續攀升，傳統封裝方式逐漸接近瓶頸，因此開始轉向Hybrid Bonding。

根據SK海力士公布的技術資料，相較MR-MUF，Hybrid Bonding可讓Core Die厚度增加約24%，TSV Pitch進一步縮小至18微米以下，並在增加堆疊層數的情況下，將熱阻降低約35%。

SK海力士另外開發I-HBM技術處理HBM內部局部熱點，熱阻還可額外降低超過30%。

這意味HBM下一輪競爭的核心，將逐漸從單純的「記憶體容量」轉向TSV、晶圓表面處理、鍵合、翹曲控制、散熱以及3D整合。

HBM終極型態曝光　從2.5D走向真正3D封裝

更值得注意的是，SK海力士已開始思考HBM由2.5D封裝進入3D整合。

目前CoWoS等先進封裝主要將GPU與HBM並排置於Interposer上方，再透過中介層進行高速互連。

但SK海力士的長期目標，是進一步將HBM堆疊於AI Accelerator上方。

也就是從：

GPU／AI Accelerator ← Interposer → HBM

逐漸演變成：

HBM
↓
AI Accelerator

如此一來，記憶體與運算核心之間的距離可大幅縮短，進一步改善頻寬與能源效率，卻也將同步提高散熱、供電、機械應力與封裝良率的挑戰。

若此架構逐步商業化，HBM產業的競爭將從「記憶體製造」正式跨入「3D異質整合」。

台積電成最大平台受惠者　HBM4早已與SK海力士結盟

台灣供應鏈中，台積電（2330）無疑是整體HBM先進封裝趨勢的重要核心。

SK海力士與台積電先前已宣布合作開發HBM4及後續產品，並將運用台積電先進邏輯製程生產HBM4 Base Die，同時共同優化HBM與CoWoS的整合。

因此產業鏈正在形成：

SK海力士HBM → 台積電Base Die → CoWoS → AI GPU/XPU

的高度整合模式。若未來HBM再從2.5D往3D堆疊演進，台積電既有CoWoS與SoIC平台的重要性還可能進一步提高。市場真正值得注意的，則是台積電資本支出向設備供應鏈擴散所帶來的商機。

弘塑居設備受惠第一排　Hybrid Bonding打開第二成長曲線

若以SK海力士此次技術藍圖與台灣設備廠技術的直接關聯度觀察，弘塑（3131）可視為第一梯隊受惠者之一。弘塑長期布局濕製程、晶圓表面處理、TSV以及2.5D、3D先進封裝。而Hybrid Bonding對晶圓潔淨度、表面平坦度與鍵合前處理的要求遠高於傳統封裝，當HBM TSV數量增加、Pitch持續縮小甚至走向3D堆疊，相關濕製程與表面處理設備的重要性也將同步提高。

因此弘塑的成長邏輯可能由過去的：

CoWoS擴產

逐漸增加第二條：

Hybrid Bonding＋SoIC＋3D封裝

成長曲線。

TSV數量翻倍　辛耘迎濕製程設備需求

第二家值得關注的是辛耘（3583）。HBM的核心結構之一就是TSV，而SK海力士已明確指出後續世代將增加TSV、提高I/O速度，並增加Power TSV在整體結構中的分布，以改善PDN電源傳輸效率。TSV製程背後牽涉蝕刻、清洗、電鍍、去光阻以及表面處理等多道製程。

因此，當HBM從1024 I/O升級至2048 I/O，未來TSV密度進一步提高，相關設備精度與需求都有機會提升。

辛耘本身即布局濕製程及先進封裝設備，與「TSV增加＋CoWoS擴產」具有高度連動性。

均華、志聖卡位3D封裝　設備精度再升級

第三條值得追蹤的是均華（6640）與志聖（2467）。均華主要布局Die Bonder、晶圓與晶粒挑揀、Pick & Place以及先進封裝相關設備。

當HBM逐步走向Hybrid Bonding甚至真正3D堆疊後，Die搬運、定位以及鍵合精度要求都將提高，因此均華可被視為HBM由2.5D進入3D時代的「設備選擇權」，。

志聖則值得從「Warpage翹曲」角度觀察。HBM從8-Hi一路走向12-Hi、16-Hi後，Die持續薄化並增加堆疊高度，熱應力、翹曲、貼合以及窄間隙填充問題將更加明顯。

志聖布局壓合、貼膜與先進封裝設備，並與均華、均豪形成G2C+聯盟，若未來3D封裝大量導入，相關翹曲控制與貼合製程設備的重要性有望提高。

萬潤仍是CoWoS擴產重要受惠者

萬潤（6187）則布局Die Attach、點膠、AOI與先進封裝自動化設備。

若從現階段HBM需求快速成長帶動CoWoS擴產的角度來看，萬潤仍是相當直接的設備受惠股；但若單純聚焦此次SK海力士提出的「TSV＋Hybrid Bonding＋3D」技術升級，弘塑、辛耘與均華的技術連結相對更加直接。此外，均豪（5443）、日月光投控（3711）、旺矽（6223）以及精測（6510），分別可從先進封裝自動化、2.5D／3D封裝與高階測試等不同環節，觀察HBM產業擴張帶來的間接受惠機會。

HBM概念股進入2.0　市場焦點從記憶體轉向「封裝設備」

綜合SK海力士此次公布的技術路線，HBM產業正在出現一個重要轉折。

第一階段AI行情，市場關注的是：

GPU需求 → HBM缺貨 → 記憶體漲價。

第二階段則逐漸演變成：

HBM4 → TSV增加 → 2048 I/O → Hybrid Bonding → 散熱／翹曲控制 → CoWoS／SoIC → 3D Integration。

若以此次SK海力士技術藍圖的「技術受惠純度」排列台灣設備供應鏈，可優先觀察：

★★★★★ 弘塑（3131）：濕製程、TSV、Hybrid Bonding前處理、3D封裝
★★★★★ 辛耘（3583）：濕製程、TSV、先進封裝
★★★★☆ 均華（6640）：Die Bonding、晶粒挑揀、SoIC／3D封裝
★★★★☆ 志聖（2467）：壓合、貼膜、翹曲控制與先進封裝
★★★★☆ 萬潤（6187）：Die Attach、點膠、AOI與CoWoS設備

若再將時間軸拆開，2026～2027年較偏向CoWoS、TSV擴產帶來的業績型機會；2027～2030年則值得觀察Hybrid Bonding、SoIC以及HBM 3D整合帶來的新一輪設備升級週期。

因此，SK海力士此次公布的不只是一張HBM4規格表，更可能提前揭露AI先進封裝下一階段的資本支出方向。

當HBM從「堆更多DRAM」進化成「把記憶體直接往AI運算晶片上堆」，AI軍備競賽的下一個瓶頸，也將從記憶體產能逐漸轉向Hybrid Bonding、TSV、散熱與3D封裝設備，台灣先進封裝設備供應鏈也因此迎來新一輪成長機會。

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