HBM、DRAM和NAND產能跟不上AI需求！美光：記憶體荒將持續到2026年後
AI 算力軍備競賽正將全球記憶體晶片市場推向多年期的結構性供應吃緊局面，美光科技 (MU-US) 最新示警，高頻寬記憶體 (HBM)、DRAM 及 NAND 快閃記憶體的供應緊張局面料將遠超 2026 年，核心驅動力來自 AI 應用對高效能記憶體的爆發性需求，而供給端受制於多重技術瓶頸難以快速擴產。
摩根大通在隨後發布的投資報告中ㄩ援引上述觀點，並稱對 AI 存儲市場的多年牛市邏輯更具信心，認為供需缺口短期內難以逆轉。
美光指出，此輪供給增長受限具備結構性特徵，而非單純產能週期問題。新一代記憶體晶片性能提升幅度逐步收窄，僅靠技術迭代擴大有效供給空間已明顯壓縮，且 HBM 新製程晶粒尺寸持續增大，導致單片晶圓可切割出的晶片數量下降，削弱供給彈性。
此外，極紫外光 (EUV) 光刻導入先進製程 DRAM 雖提升精度，卻也對產能爬坡速度與成本形成新約束，即便廠商積極擴產，短期仍難填補 AI 催生的巨大缺口。
產品進展方面，美光透露，受 AI 需求拉動，該公司 1-gamma 製程節點料將成為史上單位晶圓產出量最高的 DRAM 節點，公司正持續將 EUV 工藝整合至該節點量產流程。HBM4 的量產爬坡速度為 HBM3 的兩倍，下一代 HBM4E 預計 2027 年啟動量產爬坡，首批樣品將採用基於 1-gamma 節點生產的 DRAM 模組。
除 HBM 與 DRAM 外，美光稱 AI 上下文視窗擴大及推理工作負載快速增長，正推升對大容量、高效能固態硬碟 (SSD) 的需求，公司藉此在 SSD 市場實現份額提升，並強調將透過與客戶深度協作客製化解決方案來鞏固黏著度與產品溢價。
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