需求增三菱化學/JSW傳擴增GaN產能5成

MoneyDJ新聞 2026-07-08 08:17:00 蔡承啟發佈

因應需求增加，三菱化學(Mitsubishi Chemical)、日本製鋼所(JSW、The Japan Steel Works)傳計畫將氮化鎵(GaN)產能擴增5成。

日經新聞7日報導，三菱化學、JSW將擴增使用於次世代功率半導體基板的GaN產能，目標在2027年將產能擴增5成(和2026年相比)，開拓來自電動車(EV)、資料中心電源的需求。

三菱化學、JSW正攜手研發功率半導體用GaN基板。和傳統材料「矽」相比，GaN能承受更高的電壓，而和碳化矽(SiC)相比，GaN具備高速控制電流、抑制電力損耗等特性。

報導指出，三菱化學、JSW已在2026年4月將基板、晶種(Seed Crystal)產能提高至2021年度的2倍，之後計畫在2027年4月進一步擴增至2021年度的3倍(即和2026年相比增加5成)。

據報導，使用GaN的高性能功率半導體，預估今後來自EV快速充電器、逆變器以及資料中心電源的需求將擴大，目前三菱化學/JSW 4吋基板仍處於客戶驗證階段，不過需求增加，因此決定進一步擴增產能，且目標在2026年度開始提供6吋、2028年度提供8吋基板樣品。

(圖片來源：三菱化學)

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