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日月光攜手楠電 斥352億元打造先進封裝新據點

anue鉅亨網

更新於 05月08日08:30 • 發布於 05月08日08:30
日月光攜手楠電 斥352億元打造先進封裝新據點。(圖:日月光提供)

日月光投控 (3711-TW)(ASX-US) 今 (8) 日宣布,為因應全球半導體產業持續成長趨勢,與楠梓電 (2316-TW) 攜手推動擴廠投資計畫,採策略合作之合建模式,於高雄楠梓科技產業園區興建新式廠房。雙方將整合資源,擴大先進製程產能布局,進一步強化臺灣在全球半導體供應鏈中的關鍵地位。

日月光指出,本案總投資金額達新臺幣 352.35 億元,平均每公頃年產值約 159.2 億元,預計於 2029 年 9 月正式啟用,並可創造約 2,050 個就業機會,對帶動地方經濟發展具顯著正面效益。

此次日月光將投入資金進行廠房興建,透過合作開發機制優化廠房空間配置,不僅可有效擴展營運規模,亦可提升整體投資效益。在產能規劃方面,日月光將聚焦先進封裝技術發展,積極擴充高階封測產能,以因應新世代應用需求。

根據產業預測,至 2026 年全球半導體市場規模將持續呈現複合成長,邁向新一波發展里程碑。成長動能主要來自 AI、高速運算 (HPC)、雲端服務及資料中心等應用快速擴展,帶動記憶體與邏輯晶片需求攀升,同時推升晶片堆疊、多晶片整合 (Chiplet) 及先進封裝技術 (如 CoWoS 與 FoCoS) 之發展,促使晶圓代工 (Foundry) 與封裝測試 (OSAT) 產業合作日益深化,整體先進封裝市場需求持續升溫。

日月光執行副總洪松井表示,本次投資計畫在規模布局上,將打造園區內最大單一基地之指標性建物,發揮規模經濟優勢,展現於 AI 先進封測領域領航全球的決心。其次,透過與楠電攜手合作開發,將有效提升土地使用效率,並帶動園區整體風貌升級,樹立產業協同開發新標竿。

另外在能源基礎建設方面,將建置一園區首座 161kV 變電站,確保供電品質與穩定性,強化營運韌性,為生產不中斷提供堅實保障。

日月光進一步指出,新建廠房將以先進封裝製程為核心,導入扇出型封裝 (FoCoS) 覆晶封裝 (FC BGA) 技術,廣泛應用於 AI、雲端運算及自動駕駛等高階領域,並持續提升智慧製造與自動化比例,以提高生產效率並優化營運成本結構。

在建設規劃方面,本計畫基地面積約 17,637 平方公尺,將興建地上 8 層、地下 2 層之現代化廠房,總樓地板面積達 113,402.42 平方公尺,兼顧生產效率與空間運用。

此外,本案將依循綠建築黃金級標準進行設計,導入節能減碳與環境友善理念,致力降低污染排放並落實企業社會責任 (SDGs),打造兼具節能、健康與減廢之永續廠辦空間,穩健邁向淨零排放目標。

經濟部產業園區管理局楊志清局長表示,楠梓園區是一個製造型園區,在努力先進製造的同時,也注重所有在地員工的安全,以符合園管局智慧、安全、永續的願景。智慧方面,日月光在 AI 方面的深耕,可以感受到所帶動的經濟力道強勁,而安全及永續日月光的表現也有目共睹。園管局正以積極且系統化方式強化南台灣產業空間,打造完整科技產業發展環境。

高雄市政府經發局長廖泰翔表示,高雄位於全球半導體戰略的關鍵地位,本次合建廠房坐落於「半導體 S 廊帶」核心腹地,不僅鞏固先進封裝的關鍵能量,更串聯台積電先進製程與 AMD 矽光子研發實力,帶動高雄從「製造基地」轉型為「AI 研發樞紐」,確保台灣在全球供應鏈中掌握關鍵核心技術。

楠電與日月光此次攜手合作,不僅展現企業策略聯盟之綜效,更緊扣全球半導體產業發展趨勢,為台灣高科技產業持續注入成長動能,並進一步鞏固其於國際市場之競爭優勢。

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