中國造出EUV曝光機？ASML執行長提一數據打臉：他們至少落後8世代

近日有消息傳出，中國成功突破技術門檻，研發出國產EUV曝光機，這一舉動被視為半導體界的「曼哈頓計畫」，引起業界高度關注，甚至有人認為荷蘭半導體設備巨頭ASML可能因此受影響。對此，ASML執行長福克（Christophe Fouquet）罕見正面回應，直言這些說法缺乏事實依據，並強調中國在EUV技術上「至少落後8個世代」，短期內不可能出現顛覆性突破。

福克近日接受荷蘭《電訊報》（De Telegraaf）專訪時指出，中國自8年前起就無法取得EUV設備，依照半導體製程每一代約1至1.5年的演進速度來看，這段空窗期使得技術世代差距被拉得相當明顯。他直言，「我們看不到任何證據顯示，中國已接近EUV的技術水準。」

在中國舉資本大量投入下，福克坦言，中國在成熟製程與主流晶片領域確實取得一定成果，也逐漸影響全球半導體產業結構，但這與EUV所代表的尖端曝光技術仍存在巨大差距。他解釋，EUV不僅涉及極度精密的光學系統、材料科學與供應鏈整合，更是數十年累積的成果，並非靠資金就能快速複製。

對於外界提出「技術封鎖可能迫使中國加速自建完整體系」的看法，福克並未完全否定，但他強調，EUV的技術難度並非同一層級，「這不是3年的問題，而更可能是10年的長期挑戰。」

至於ASML是否針對中國打造國產EUV一事與主管機關進行討論？福克證實，「討論的層級很高，但我們不會點名。我們的角色是解釋這項技術的運作方式，它（EUV）有多複雜，開發需要多少時間。」

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