英特爾要投入新世代記憶體堆疊技術研發，業界關心是否顛覆市場生態
隨著人工智慧（AI）的蓬勃發展，記憶體已成為決定半導體性能的關鍵技術，這使得處理器巨擘英特爾（Intel）重新向次世代記憶體技術開發傾斜。儘管英特爾過去已退出 DRAM 和 NAND 快閃記憶體等製造業務，但為了提升 AI 時代運算晶片的性能，該公司正擴大對記憶體連接與堆疊技術的投資。
先前，英特爾執行長陳立武曾表示，記憶體已不再是單純的通用商品，英特爾正在研究次世代記憶體架構。陳立武甚至透露，公司正在評估將 CPU 與記憶體直接進行堆疊的方案，不過目前尚未公開具體的記憶體業務計畫。事實上。隨著AI模型擴大、處理數據量急增，記憶體能否快速供應數據成為決定系統整體性能的關鍵。當運算速度超越記憶體的傳輸速度，便會產生所謂的記憶體牆（Memory Wall），這也是將多顆 DRAM 垂直堆疊的高頻寬記憶體（HBM）會成為AI加速器核心配件的原因。
目前英特爾參與開發的次世代記憶體技術主要包括 XBM（Cross-Batch Memory）與 ZAM（Z-Angle Memory）這兩種。雖然，這兩種技術都以更快速、更高效地處理海量數據為目標，但採用的路徑截然不同。XBM 目的在改善目前 HBM 複雜且昂貴的封裝結構。也就是現行的 HBM 是將 GPU 與記憶體並排配置在矽中介層上進行數據傳輸，而 XBM 則提出利用晶片間的高速連接技術，來降低封裝成本與負擔的新型架構。不過，該技術目前僅處於透過專利公開概念的階段，尚無具體的產品化計畫。
至於，ZAM 則是透過將 DRAM 進行垂直且緊密的堆疊，藉此提升容量與數據處理速度，同時降低功耗。英特爾正與軟銀（SoftBank）旗下子公司 SAIMEMORY 合作，共同開發 ZAM 的商業化。SAIMEMORY 計劃於 2027 年製作樣品，並以 2029 年實現商用化為目標。
值得注意的是，陳立武在介紹記憶體技術時，特別提及了 2026 年 6 月延攬前 SK 海力士 CEO 的李錫熙（Lee Seok-hee）來英特爾負責統籌先進封裝、系統整合以及後段製程技術的研發與生產等工作。英特爾在招募他時便明確表示，將強化把邏輯晶片、記憶體和網路緊密結合的系統整合能力，這顯示英特爾這次似乎是來真的。
過去，英特爾與記憶體其實有著深厚的歷史淵源，曾在 1970 年代推出首款商用 DRAM「1103」。然而，隨著日本廠商競爭加劇，英特爾於 1985 年退出 DRAM 市場並專注於 CPU。此後雖曾持續經營 NAND 快閃記憶體，並與美光（Micron）聯合開發 「3D XPoint」 技術推出 「Optane」 產品，但隨後英特爾終止了 Optane 業務，並將 NAND 業務賣給 SK 海力士。因此，英特爾目前並非像三星電子或SK海力士那樣大量生產 DRAM 或 NAND 的製造商。
儘管淡出製造，英特爾從未停止相關技術研發。特別是將多種半導體在單一封裝內快速連接的先進封裝技術，一直是英特爾持續投資的領域。英特爾近期也將用於AI半導體的 2.5D/3D 堆疊與晶片間連接技術，視為其晶圓代工業務的核心競爭力。
由於AI的爆發式成長正，加大了英特爾重回記憶體領域的誘因。這也引發了業界對於英特爾未來是否可能超越單純的技術研發、重新投入記憶體業務的討論。雖然陳立武尚未透露具體計畫，但英特爾若進一步擴大在記憶體領域的佈局，將可能為三星電子、SK 海力士等現有記憶體大廠的競爭格局帶來新的變數。
半導體業界人士分析指出，AI 晶片中運算晶片與記憶體間的傳輸速度及能效日趨重要，雖然現在斷言英特爾將重新投入通用 DRAM 量產還為時過早，但其將記憶體技術提升為核心業務領域的可能性，確實值得持續關注。
(首圖來源：科技新報)