SK海力士擴大投資韓國晶片產能　2029年前投入100兆韓元新建NAND與先進封裝廠

SK海力士SK Hynix(000660-KS)宣布，將於2029年前投資100兆韓元，在韓國清州（Cheongju）新建NAND Flash製造廠及先進晶片封裝廠，持續擴大記憶體供應能力，布局AI時代的長期需求。

根據規畫，SK海力士將投入80兆韓元興建新的NAND Flash製造廠，預計2029年前完成；另外再投入20兆韓元興建晶片封裝廠，預計2027年前完工，兩項投資皆位於清州。

值得注意的是，這100兆韓元投資並非新增資本支出，而是SK海力士日前宣布、總規模達1,100兆韓元韓國半導體投資藍圖的一部分。公司表示，其中約400兆韓元將用於打造韓國西南部新的晶片製造聚落，另約600兆韓元將投入龍仁（Yongin）DRAM生產基地擴建，持續提升先進記憶體製造能力。

不過，投資計畫並未抵擋市場賣壓。受到美國科技股前一交易日重挫影響，南韓股市2日開盤大幅下跌，KOSPI指數一度重挫近6%，韓國交易所更啟動KOSPI 200期貨賣方Sidecar機制，暫停程式化賣單五分鐘，以抑制市場波動。

半導體族群同步走弱，SK海力士盤中一度下跌8.20%，三星Samsung(005930-KS)也下跌6.84%。