長江存儲啟動第三廠，搶攻記憶體需求
根據《日經》報導，中國最大 NAND 快閃記憶體製造商長江存儲（YMTC）近日於武漢正式啟動第三座晶圓廠建設，預計 2027 年投產，並同步擴充第二廠區產能。
長江存儲近年積極推動技術自主化，持續克服關鍵製程瓶頸。公司在被列入美國注意名單後，雖失去先進美製設備與技術支援，但已透過國產設備商中微半導體（AMEC）替代進口工具，並在蝕刻製程等關鍵環節取得突破。業界指出，該公司正進一步評估切入動態隨機存取記憶體（DRAM）領域，為跨足高頻寬記憶體（HBM）奠定基礎。
分析人士指出，中國廠商正加速記憶體布局，以應對國內龐大的 AI 基礎設施需求，並降低對外供應鏈依賴。目前中國的長鑫存儲（CXMT）已在 DRAM 領域取得全球第四的市占地位，並從成熟的 DDR4 規格轉向主流 DDR5 技術，以支撐 HBM 的量產需求。若長江存儲成功跨足 DRAM，將形成中國在記憶體產業的「雙引擎」格局，進一步推進自主半導體供應鏈的戰略深度。
根據市調機構 Omdia 統計，長江存儲 2025 年的資本支出已占全球 NAND 投資總額約兩成。若擴產進展順利，其明年以產能計的全球市占率可望達 10%，並於兩年內挑戰美光（Micron）的地位，晉升全球第四大 NAND 製造商；以營收市占計算，該公司於 2025 年第二季約佔全球 5%。
（首圖來源：長江存儲）