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圖解|美光DRAM1γ製程開始出貨!記憶體製程α、β、γ是什麼意思?應用有哪些?

數位時代

更新於 2025年02月26日09:26 • 發布於 2025年02月26日09:21

記憶體大廠美光(Micron)2月26日宣布,最先進的DRAM(動態隨機存取記憶體)1-γ (gamma) 節點的樣品正出貨至合作夥伴和客戶進行驗證,具效能更高、功耗更低且位元密度更高等優勢,將由台灣、日本廣島廠共同生產。

美光的1γ DRAM基於第六代10奈米等級,為首度採用極紫外光(EUV)微影技術,應用涵蓋資料中心、AI PC、行動裝置、車用、遊戲等領域。

1γ節點指的是什麼?有哪些優勢?

就像邏輯晶片生產分為3奈米、2奈米等製程,記憶體中的DRAM也有製程迭代,依序為:1y、1z、1α(1-alpha)、1β(1-beta)和1γ(1-gamma)等製程節點。

在業者的研發藍圖上,韓系記憶體製造商三星(Samsung)及海力士(SK Hynix)以「1b」對標第五代DRAM的1β製程、「1c」則對標第六代DRAM的1γ製程。

記憶體三大原廠都將在2025年步入1γ、1c製程,其中美光及海力士的腳步較快。 海力士於2024年8月宣布完成開發1c製程DDR5,2025年將開始供應產品;三星則稍晚一些,2025年初曾傳出因良率問題重新設計1c製程,完成開發時間由2024年底推遲至2025年中,實際量產預計將在2025年底。

延伸閱讀:HBM是什麼?為何是黃仁勳「買愈多省愈多」關鍵?圖解HBM戰況

美光副總裁暨運算與網路事業部運算產品事業群總經理Praveen Vaidyanathan表示,美光的1γ DRAM節點具備3大關鍵優勢:

1.提升效能: 提供高達9200MT/秒的資料傳輸速率,與前一代產品相比增速達15%。

2.節省能源: 採用下一代高介電質金屬閘極(CMOS)技術,可節省功耗超過20%,讓散熱特性更為優異。

3.提高位元密度產出: 採用EUV微影技術,與前一代製程相比,每片晶圓的位元產出量多出30%以上,意味著能以更低的成本生產更多記憶體。

1γ製程是美光首次採用EUV微影製程,三星及海力士數年前就已導入EUV。美光DRAM技術研發資深副總裁白竹茂指出,經過審慎評估,美光選擇了最佳時機首次在DRAM製造中導入EUV微影技術,「EUV讓我們能夠實現更高密度的電路佈局,並且能夠進一步微縮。」

美光DRAM製程1α、1β、1γ比較
1γ與前一代製程相比,每片晶圓的位元產出量多出30%

應用涵蓋資料中心、邊緣AI,美光HBM4目前仍規劃採1β製程

美光的1γ節點將首先應用於16GB DDR5 DRAM產品,再陸續整合各項產品組合中,橫跨資料中心、行動記憶體、車用記憶體及遊戲等領域。

以資料中心伺服器來說,1γ DDR5記憶體可使資料中心效能提升達15%,並增加能源效率,最佳化機架級電源和散熱設計。

而在邊緣AI方面,1γ DDR5記憶體可提供更佳的省電效能、更高的頻寬,延長電池續航力並改善使用者體驗,涵蓋AI PC、行動裝置、智慧汽車等應用。

延伸閱讀:AI高速運算關鍵!CXL、DRAM、HBM記憶體差在哪?記憶體概念股有哪些?

Praveen Vaidyanathan指出,目前1γ製程節點的DDR5將由日本廣島廠與台灣廠共同生產,具體量產時程,將視市場需求與客戶認證進度決定。

至於資料中心AI運算不可或缺的HBM(高頻寬記憶體),以目前主力的HBM3e來說,美光與海力士分別採1β、1b製程,三星則採用1a製程。現階段美光仍以1β製程為HBM3e、以及下一代HBM4的主要技術基礎。

美光在2024年底曾發布HBM4、HBM4E計畫的最新進展,HBM4有望於2026年量產,HBM4E預計將在2027~2028年亮相。

延伸閱讀:輝達財報開獎倒數,Blackwell成最大變數!股價下跌,分析師為何仍看好?

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