國碩進軍AI 新鰭片技術打進散熱大廠 Q4起貢獻營收
國碩 (2406-TW) 近年積極轉型，董事長陳繼明今 (5) 日指出，公司自研的「Di-Fin 直接成型鰭片技術」已與國際 AI 晶片大廠合作，並導入散熱大廠，目前小量試產，預計今年第四季起開始貢獻營收，隨著次世代 AI 晶片功耗提升至 1800W 以上，公司散熱解決方案將為客戶提供關鍵助力，產品出貨可望於明年放量成長。
陳繼明指出，Di-Fin 鰭片歷經 3 至 4 年開發，採用公司自有鑽石磨料技術，具備高深寬比與結構穩定性，相較現行鏟片技術，散熱效能可提升 1 至 2 倍，是目前市場上極具競爭力的創新方案。
國碩補充，Di-Fin 鰭片具備可高度客製化的幾何結構，能根據客戶需求打造片狀、菱形、長方形、正方形等多種排列形式，甚至能同時進行正反面加工，形成雙面或多面鰭片結構，有效放大底部接觸面積，並大幅提升熱傳導效率與模組整體效能。
國碩此次主要與工研院合作，將 Di-Fin 技術整合應用於三大散熱架構，包括直接液冷 (Direct Liquid Cooling)、浸沒式冷卻 (Immersion Cooling) 與均溫板 (VC Heat Spreader)。目前雙方已展開技術驗證與合作，未來可望大量導入於 HPC 與 AI 伺服器系統中。
業界觀察，現階段 AI 晶片如 GB200 功耗為 1200W，GB300 則達 1400W，而下一代產品預估將邁向 1800W 甚至更高，傳統氣冷已難以應對其熱管理挑戰，水冷式及浸沒式散熱將成為主流。國碩 Di-Fin 鰭片模組已獲散熱大廠青睞，在 AI 伺服器散熱供應鏈中站穩腳步，有望成為公司下一波成長的關鍵驅動力。