打入 HBM 供應鏈！力積電獲美光後段代工訂單，拚 3D AI 代工業務占總營收 20%
力積電今（5 日）舉辦法說會，副總經理暨發言人譚仲民指出，目前公司整體財務結構仍屬健全，第四季每股虧損0.16 元，虧損已明顯收斂，並對新年度展望轉趨樂觀。
營運報告部分，力積電總經理朱憲國指出，在記憶體產品線部分，全球記憶體供需結構性失衡，供給缺口預期將延續至2026 年下半年；DRAM、Flash 晶圓代工價格持續上升，由於高階AI 伺服器排擠中低階PC、手機、消費性電子裝置產能，並推升DDR3、DDR4 等成熟產品價格。此外，韓系廠商退出SLC NAND 市場，但網通、工控、消費電子需求仍強，價格顯著上漲；NOR Flash 部分，客戶驗證完成，去年底開始放量，2026 年出貨將逐步提升，車規產品驗證進展正向。
接著是邏輯代工產品線部分，第四季投片量與第三季大致持平，但自2026 年1 月起需求明顯回升，由於AI 伺服器帶動記憶體與邏輯共用機台需求、客戶去中化供應鏈布局與產能調整，形成供給缺口，加上銅鑼廠售予美光導致公司產能限縮，在這些因素影響下刺激需求回升，造成供應端缺口，特別是12 吋驅動IC、Sensor 需求回升，自1 月起已調升報價。
電源管理IC 部分在AI 伺服器市場需求仍強勁，主力客戶去年第四季已完成工程驗證，並開始放量。力積電指出，雖然8 吋產線中IGBT 大型客戶的需求有所下修，但在AI 伺服器與邊緣運算應用帶動下，整體功率元件需求不減反增，包括MOSFET 在內的相關產品需求持續升溫。自2 月起，公司產能已無法完全滿足客戶需求，供給明顯吃緊。此外，公司正評估將部分東南廠的8 吋無塵室改裝為12 吋先進封裝機台，進一步壓縮8 吋可用產能。在產能受限與需求同步走強的情況下，公司規劃自3 月起調升8 吋晶圓代工報價，並看好未來氮化鎵（GaN）與矽電容等新產品線，將成為8 吋產線的新一波成長動能。
力積電指出，晶圓邏輯代工產品線在歷經數季需求沉澱後，已明顯自谷底回溫。隨著銅鑼廠出售美光，相關機台與產線將陸續回流新竹廠區，有助於產能重新配置與效率提升。公司預期，未來幾季無論是8 吋或12 吋邏輯代工，需求動能都將顯著轉強，邏輯代工業務可望進入加速成長階段。
第三個是3D AI 產品線代工進展。力積電指出，矽中介層需求持續升溫，產能逐步擴增，良率已達穩定量產水準。公司在既有CoWoS-S 平台基礎上，亦陸續導入CoWoS-L 與CoPoS 等延伸產品線。
力積電指出，目前3D AI 代工事業於第四季約占整體營收3%，隨著客戶驗證完畢並逐步進入量產，加上未來將支援美光在HBM 後段晶圓製造（PWF）代工支援，目標三年內使該產品線貢獻約20% 營業額，並成為此事業重要成長動能。
美光、塔塔合作進度
談到與美光合作，力積電表示，已經簽署意向書，將分階段轉讓銅鑼廠，相關的P5 設備與人員，將在不裁員、不中斷營運的前提下，陸續轉移至新竹廠區。此外，美光已預付HBM 後段晶圓製造產能，正式將力積電納入其先進銅鑼廠供應鏈體系，雙方將建立長期穩定的代工夥伴關係。同時，美光也將協助力積電持續精進低功耗記憶體代工製程技術。
朱憲國表示，目前雙方仍就最終合約細節進行磋商，預期可於農曆年前完成簽署，相關細節將待合約確認後再對外說明。整體而言，透過此次資源重新配置，公司將逐步汰換新竹廠區既有的老舊設備與低毛利產品線，全面提升營運效率。未來力積電也將轉型為以AI 應用為核心的專業晶圓代工廠，聚焦於高附加價值產品，包括3D AI DRAM、晶圓級封裝（Wafer-level）、PWM、矽中介層，以及整合型被動元件（IPD，如矽電容），並延伸至PMIC、MOSFET、GaN、XO 等元件，全面布局AI 伺服器與AI 邊緣運算相關應用。
此外，力積電與塔塔電子的海外建廠合作案進展順利，目前技術服務費已累計入帳1.43 億美元，且未出現任何延遲。除建廠合作外，雙方亦正洽談進一步於半導體邏輯代工市場展開合作的可能性。
力積電 2025 年 Q4 營業收入新台幣 125 億，較 Q3 營收 118.4 億增加 6.6 億，美元營收則是增加 2%，主要是受惠於 DRAM ASP 上升及美元升值 4%之效益；毛利 7.9 億，主要是受惠於 DRAM ASP上升、美元升值及產能利用率提升；淨損 6.5億。
（首圖來源：科技新報）