SK 海力士積極擴產標準型 DRAM 產能，逐漸與三星進入市占率爭奪戰
由於AI伺服器對於高頻寬記憶體（HBM）的龐大且強勁需求，記憶體製造商不得不將資源優先投入HBM的生產。這種資源集中導致了對標準型DRAM的排擠效應，進而造成個人電腦、筆記型電腦、智慧型手機及一般伺服器所需的標準型DRAM供應日益吃緊。為此，全球第二大記憶體製造商SK海力士（SK Hynix）正採取積極行動，全面擴大標準型DRAM的生產規模。
根據韓國超鮮日報的報導，SK海力士的目標是透過最大化晶圓廠稼動率與調整產線配置，使2026年的標準型DRAM供應量相較於2025年增加超過一成。為了達成標準型DRAM的大幅增產，SK海力士正積極調整其兩大主要晶圓廠M15和M16的生產策略。
報導表示，M16晶圓廠的稼動率將被提升至最大化的同時，針對M15晶圓廠，SK 海力士也正在執行一項關鍵的產能轉換計畫。具體而言，部分原本用於代工業務或生產CMOS影像感測器（CIS）的生產線，將被重新配置並轉換為DRAM生產線。透過這種策略性的產能調整與擴大，SK海力士期望能夠有效緩解當前標準型DRAM市場的供應緊張局勢。
而儘管SK海力士目前是HBM市場的領導者，擁有高達70%至80%的市佔率，但該公司也清楚認知到，標準型DRAM的市場規模遠大於HBM。因此，在鞏固其在AI記憶體領先地位的同時，滿足標準型DRAM的龐大市場需求，成為公司戰略的重心。
另外，SK海力士的積極擴產行動，也是其力爭記憶體市場領導地位的展現。該公司的目標是在2025年達到DRAM市場市佔率第一的目標。然而，市場競爭對手的三星也正積極應對。三星同樣採取了全力擴大DRAM產能的策略。該公司正在最大化利用其P3晶圓廠的產能，並計劃啟用P4晶圓廠，以顯著增加整體記憶體產能。
由於SK海力士與三星兩大記憶體廠商的積極擴產，市場分析普遍預計，2026年的全球DRAM供應量將達到兩位數的成長。其中，在資本支出方面，SK海力士曾於2021年做出承諾，計劃在2022年至2027年期間投入高達106.2兆韓圜的資金。雖然2025年的資本支出計劃略有調整，但該公司對於2024年和2025年的記憶體相關投資承諾依然堅定，這也為其DRAM擴產提供了強大的財力支持。
總結來看，在AI與HBM引領高階市場的同時，SK海力士透過產能調整與投資擴大，顯示出其不願放棄更為廣泛的通用型DRAM市場，這使得這場記憶體雙雄的市佔率爭奪戰將會持續升溫。
(首圖來源：科技新報攝)