CPU / GPU 直接堆疊 HBM！三星今年推「3D HBM 晶片封裝」服務
《韓國經濟新聞》（The Korea Economic Daily）報導，三星今年將推高頻寬記憶體（HBM）3D 封裝服務。
三星去年宣布 3D AI 晶片封裝「SAINT」（三星先進互連技術）平台，包括三種技術：垂直堆疊 SRAM 和 CPU 的「SAINT-S」，CPU、GPU 等處理器和 DRAM 記憶體垂直封裝的「SAINT-D」，以及應用處理器（AP）等邏輯晶片堆疊的「SAINT-L」，今年上線。
三星一直在開發 SAINT-D 技術，看來今年會進入黃金期。三星新 3D 封裝是在處理器上垂直堆疊 HBM 晶片，與透過矽中介層水平連接 HBM 晶片和 GPU 的 2.5D 技術（I-CUBE）不同。垂直堆疊不需矽中介層，但製程更複雜，能製造新 HBM 記憶體基礎晶片（base die）。
3D 封裝能使數據傳輸更快、訊號更清晰、功耗及延遲性降低，但成本也更高。三星計劃以 Turnkey 服務提供先進 3D HBM 封裝，由記憶體業務部門生產 HBM 晶片，代工部門為無晶圓廠組裝實際處理器。
不過，在邏輯晶片上安裝 HBM 需適當晶片設計，目前還沒發現任何知名公司處理器可在上面安裝HBM。此技術將於今年至 2025 上半年推出。
展望未來，三星目標是到 2027 年推出一體化異質整合技術，實現兩層邏輯晶片、HBM 記憶體（積體電路上），甚至協同封裝光學器件（CPO）整合。
（首圖來源：三星）