美光躋身兆美元俱樂部！川普點名力挺、瑞銀喊翻倍 記憶體股集體狂歡
AI 記憶體熱潮持續狂飆，美光科技 (MU-US) 週二 (26 日) 首度叩關 1 兆美元市值，不只點燃半導體族群漲勢，更帶動記憶體股與相關 ETF 集體噴發，讓這場由高頻寬記憶體 (HBM) 引爆的記憶體大戰再度升溫。
瑞銀 (UBS) 最新報告中指出，AI 正改寫整個記憶體產業規則。隨著長約供貨模式增加，未來約三成 DDR 記憶體產品可能透過長期合約鎖定價格，讓過去高度循環的記憶體產業逐步走向新模式。
瑞銀大幅調升美光目標價，從原先 535 美元一口氣拉高至 1,625 美元，重申「買進」評等，不僅創下華爾街最高目標價，也意味美光未來 12 個月仍有逾一倍上行空間。
以此推算，美光市值有望進一步膨脹至約 1.8 兆美元。若達成該目標，美光市值將超越 Meta Platforms (META-US)、特斯拉 (TSLA-US)，甚至高於波克夏海瑟威 (BRK.B-US) 目前規模。
市場資金也迅速做出反應。美光週二股價大漲 19.29%，收在 895.88 美元，創下 2011 年 11 月以來最大單日漲幅，收盤市值正式站上 1.01 兆美元。
這波漲勢也讓美光躍居標普 500 指數當日最強個股。統計顯示，美光過去一年股價漲幅已暴增約 830%，成為近年美股最強 AI 概念股之一。
週二市場焦點也落在今年 4 月才成立的 Roundhill Memory ETF (DRAM-US)。
該 ETF 週二再度大漲逾 14%，延續近兩個月幾乎沒有降溫的強勢走勢。
這檔 ETF 主要布局記憶體與儲存產業鏈，成分股涵蓋美光科技 (MU-US)、三星電子 (005930-KR)、希捷科技 (STX-US) 與 Sandisk (SNDK-US) 等企業。
根據 FactSet 數據，DRAM ETF 本月以來已飆漲超過 50%，自 4 月成立以來累計漲幅更高達 119%，成為近期市場最強勢主題 ETF 之一。
值得注意的是，美國總統川普上週在紐約州造勢活動中也特別點名美光，直言：「美光很棒，他們正在投資數千億美元。」
而這番談話背後，正是美光近年積極推動的美國製造大計畫。
美光先前宣布，未來 20 年將投入最高 1,000 億美元，在紐約州克雷 (Clay) 打造美國最大半導體工廠，項目已於今年動工，預計 2030 年投產。
若加計研發與其他布局，美光整體美國投資計畫總額已提高至 2,000 億美元，全力擴張記憶體製造與研發能力。
而這場擴產背後，其實也是一場記憶體霸權之戰。
隨著 AI 伺服器、高頻寬記憶體與資料中心需求全面爆發，美光正與南韓兩大記憶體巨頭 SK 海力士、三星電子正面交鋒。受記憶體熱潮帶動，SK 海力士週二上漲 5.7%，三星電子也上漲 2.2%。
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