出征日本國際電子展 工研院攜電動車解方
[NOWnews今日新聞] 工研院在經濟部產業技術司支持下，今（21）日於「日本國際電子製造關連展」（NEPCON JAPAN）現場展出14項前瞻技術成果，同時發表「高功率密度三合一動力系統」，後者攜手電動車動力系統新創「捷能動力科技」，從晶片、功率模組到動力系統，一體化MIT打造，已通過第三方動力系統測試，展現台灣碳化矽技術於高電壓。
工研院電子與光電系統研究所所長張世杰表示，碳化矽（SiC）因為具有高效率、高功率密度、耐高壓高溫、體積小、重量輕等優勢，是目前全球最廣泛應用的功率模組之一。
工研院長期投入化合物功率半導體的技術研發，不僅積極協助國內業者研發，像是開發出「車載碳化矽技術解決方案」，已導入本土元件製造、模組封裝及系統業者，更成立「功率模組測試實驗室」，提供台灣車用電子廠商功率模組的測試及驗證服務。
這次參展特別攜手捷能動力科技共同發表「高功率密度三合一動力系統」，整合電動馬達、馬達控制和減速器，並採用工研院自主研發設計的1700V／400A碳化矽功率晶片、模組以及散熱鰭片技術。目前已成功通過第三方動力系統測試，完成台灣、美國專利佈局，不僅展現電動車動力系統整合的國產化實力，更可望透過關鍵元件與系統層級的深度整合，協助台廠轉型升級，在碳化矽產業提升市場競爭力。
這次參加日本國際電子製造關連展，亮點滿滿！像是在「車用碳化矽技術解決方案」專區，展出工研院與第三類半導體材料廠「超能高新」攜手開發之氮化矽「陶瓷基板」基板，展現高可靠度、高耐熱特性的先進封裝基板技術，滿足車用電力電子對高功率密度與長期可靠度的需求，也和日本名古屋大學共同開發「30kW快充充電樁直流轉換器」，具體應對電動車快充市場對於高效率、高功率密度電力轉換系統的關鍵需求。
「氮化鎵（GaN）元件整合封裝解決方案」專區，也展出工研院自主研發的「650V垂直式氮化鎵功率晶片」及相關元件封裝技術。透過模擬將垂直式氮化鎵元件封裝最佳化，提升元件耐壓能力與功率密度，同時兼顧系統可靠度與製造彈性。未來將可廣泛應用於車載驅動及充電、工業用機器手臂的馬達驅動系統、AI資料中心等，展現氮化鎵元件於高效率電力電子應用的發展潛力。