(影) 中國「逆向工程」失敗! 急召ASML修理光刻機 原因竟是會拆不會裝
Newtalk新聞
近來網路盛傳，中國工程師試圖對荷蘭光刻機巨頭 ASML 的深紫外（DUV）光刻設備進行逆向工程，卻因拆解過程損壞機器，最後還得向原廠求助維修。儘管此消息尚未獲得官方證實，但事件迅速在科技圈與輿論間引發熱議，被視為中國在追求晶片製造自主過程中，所面臨「技術高牆」的縮影。
根據 X 帳號 @rohanpaul_ai 的分析，ASML 的 DUV 光刻設備屬於極度精密的工業系統。該公司由來自 全球 123 個國家、約 2.4 萬名工程師 組成，與德國蔡司（ZEISS）等合作夥伴共同構築出複雜的光學與機械生態。
報導指出，DUV 光刻機使用 193 奈米氬氟雷射光，透過浸沒式技術將光線穿過極薄水層曝光晶圓，任何粒子污染或干涉儀誤差都可能導致整機報廢。重新校準則需廠級軟體金鑰與量測系統支援，非授權維修幾乎不可能成功。
有消息稱，中國工程師在嘗試拆解 ASML 設備研究後「無法重新組裝」，導致機器報修。雖然未經 ASML 官方證實，但此事件被多家外媒與產業分析人士引用，象徵中國試圖繞過西方技術封鎖的艱難處境。
根據荷蘭政府於 2024 年 1 月 1 日 起實施的出口限制，ASML 的 NXT:2050i、NXT:2100i 兩款深紫外機型已被禁止輸往中國。隨後在 2024 年 9 月，荷蘭再度收緊政策，連 NXT:1970i 與 1980i 的出口、維修與軟體更新皆須取得官方許可。
此舉使中國晶圓廠難以維持現有生產線，甚至影響已部署的設備維修。專家指出，在維修受限與技術封鎖下，「自行拆解研究」的風險行為反而增加，顯示政策副作用的現實。
根據產業數據，中芯國際（SMIC）正測試國產光刻機製造商宇量盛（SMEE）的浸沒式 DUV 設備，目標支援 28 奈米製程，並透過多重曝光技術挑戰 7 奈米節點。報告預計，該設備最快在 2027 年才能投入更大規模使用，良率與穩定性仍有待時間提升。
儘管中國積極追趕，但業界普遍認為要達到 ASML 的技術層級仍有十年以上差距。ASML 的極紫外（EUV）光刻機技術能誕生，背後是美國與荷蘭政府數十億美元的聯合研發計畫成果，日本在 2000 年代初期嘗試競爭未果，正顯示該技術的難度與資本需求。
根據 X 帳號 @AsiaFinance 的評論，ASML 的技術生態是全球協作的結晶，「沒有任何一個國家能單獨完成光刻機的製造」。這也說明，中國即使具備頂尖工程人才與資金，若缺乏跨國供應鏈與光學專利支援，仍難以獨立打造同級別設備。
目前，美中科技戰持續升級，美國對中國實施先進晶片與 AI 加速器出口禁令，而中國則反制稀土出口並扶植半導體本地化產業鏈。專家指出，這場「科技冷戰」不僅是晶片之爭，更是全球化體系被撕裂後的供應鏈重組。