中國光刻機真做到超英趕美？中芯5奈米瘋傳「良率飆破70%」　外國專家曝真相

美國對中祭出晶片禁令，中國無法取得先進曝光機（EUV），晶圓製造技術依然落後於主流先進製程，華為最先進晶片仍採用7奈米。不過最近有消息傳出，中芯研發的5奈米製程「良率已達60%到70%」，驚人數字瞬間在網上瘋傳，不過這說法並不被許多專家買單，外國知名科技爆料者也直言，

據外媒《Wccftech》報導，中國爆料者「定焦數碼」在微博上指出，中芯5奈米良率已達60%至70%，還聲稱此良率已與使用GAA技術的三星3奈米晶片水準相當。

報導指出，不過，不是所有人都全面相信此說法，甚至有人斷然駁斥，例如曾經爆料AMD棄單三星，將晶片轉單給台積電美國廠代工的科技業知名爆料人士Jukanlosreve就直指，根據他從中國的消息來源得知，定焦數碼的說法完全是憑空捏造。

Jukanlosreve先前也曾透露，中芯的5奈米晶片預計今年內才能開發完成，且因曝光機仍使用上一代DUV（深紫外光）、而非最先進的EUV（極紫外光）技術，生產成本將比國際標準高出約50%。在EUV是5奈米先進製程的關鍵條件下，中芯良率若已真達商用水準，顯然與其研發進度不符。

目前華為最新的麒麟X90晶片仍採用中芯7奈米製程，報導分析，鑑於5奈米的70%良率在理論上已可實施商業量產，但中芯仍未實際展示任何5奈米產品，因此對定焦數碼的爆料仍保持質疑與保留態度。

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