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中國不靠ASML造出EUV原型機?專家揭2大技術難題:當中牽涉很多協力廠商

風傳媒

更新於 02月13日16:19 • 發布於 02月21日01:00 • 李孟恩
外媒先前報導指出,中國已成功打造出首台極紫外光(EUV)曝光機原型機。圖為ASML光刻機模型。(資料照,顏麟宇攝)

在美國科技封鎖下,中國半導體發展受限,先進設備難以取得,但中國科技企業卻屢屢傳出技術突破的消息。微驅科技總經理吳金榮在節目《財經相對論》提到,中國中芯半導體的架構非常強大,該公司投入大量資金,產能也很大,而且已經能生產到7奈米製程。不過,中芯沒有EUV設備,而是透過DUV多重曝光方式來製作。然而,目前美國已要求ASML不准輸出高階DUV機台到中國。

針對先前傳出中國在EUV技術上有所突破,甚至可能很快能自行生產EUV,吳金榮認為,不會這麼快。他提到,ASML總裁曾表示,中國至今尚未擁有任何EUV設備,原先中芯訂購的一台也被美國喊停。要做出EUV技術層次非常困難,因為當中牽涉很多協力廠商,尤其在光學和軟體的設計很多非常複雜,所以EUV沒有那麼容易。

吳金榮說明,以DUV技術來看,DUV製程有一個分水嶺在50奈米。50奈米以上的DUV屬於乾式,使用AR雷射與193奈米光波長;50 奈米以下則使用濕式曝光(Immersion Scanner,浸潤式光刻機)。台積電副總林本堅博士曾提出,透過水的折射率(1.33)將193奈米光波長折射,能達到約135奈米的波長,進而利用多重曝光技術完成7奈米製程。因此,台積電第一代7奈米製程並非使用EUV,而是DUV多重曝光;不過EUV的效能更佳。

吳金榮指出,中國在半導體設備上的發展非常積極。以設備公司來說,目前最大的是北方華創,另一家實力強勁的公司是中微半導體。中微半導體的創辦人尹志堯曾是美國應用材料(Applied Materials)的研發副總,回國創業後,推出的機台曾經賣給台積電5奈米製程。他們主要製作PVD與CVD等設備,但仍有許多零件需要從國外進口。雖然中微半導體力求自製,目前自製率約50%,仍有50%依賴國外供應。由於半導體製程對設備依賴極高,缺一台重要機台便可能無法運作,因此中國半導體的發展仍受到一定限制。

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