TechInsights報告預測記憶體可能成為2026年AI發展的障礙
2025年以來，傳統記憶體晶片DRAM現貨價格大漲1.2倍到2倍之間，即將進入2026年，記憶體價格仍可能續漲，因為人工智慧持續推高需求，不過，處理器與記憶體效能存在落差，成為需要解決的關鍵挑戰。
半導體資料平台《TechInsights》發布「2026年記憶體展望報告」，認為未來一年人工智慧（AI）科技發展走到十字路口，記憶體明年將成為AI發展新的瓶頸。
記憶體技術正成為資料中心市場的瓶頸
隨著人工智慧工作負載不斷增加，傳統記憶體技術正接近極限。傳統記憶體技術已無法滿足功耗與效能需求，因而遭遇功耗、頻寬和延遲方面的挑戰，這意味著，記憶體技術正成為資料中心市場的瓶頸。未來一年將成為記憶體技術突破的關鍵時期，須全力以赴回應AI的需求。
因此，業界積極向新的架構發展，希望使記憶體成為AI效能和可擴展性的決定因素。記憶體製造商正在突破擴展極限，以滿足人工智慧的數據需求。DRAM正朝向AI優化的 HBM發展，而3D NAND透過晶圓鍵合和混合堆疊技術突破300層。新興的MRAM和ReRAM正在拓展在物聯網、汽車和邊緣AI應用。
AI和資料中心成長，推動DRAM和NAND快閃記憶體製造商收入創紀錄的成長，但也帶來價格上漲、交貨週期延長、綠能等挑戰。製造商投資於先進封裝、綠色晶圓廠和排放控制技術，以平衡成本、性能和永續性，確保積體電路供應和物流的穩定性。
《TechInsights》與記憶體市場主管霍華德（Mike Howard）接受訪問時坦言，處理器與記憶體之間效能存在落差，推動高頻寬記憶體(HBM)和CXL協定的應用，將成為突破「記憶體瓶頸」的關鍵。
HBM產能擴充，排擠傳統記憶體產能
但是霍華德指出，這種瓶頸並非未來一年唯一的挑戰。他解釋說，大型雲端企業自2023年末開始，為2025年產能布局，大舉投資，導致晶圓產能短缺，生產重心從DDR和LPDDR轉向HBM，以滿足AI需求。HBM的利潤率實在高得誘人了，晶片大廠爭先恐後擴充HBM產能。
他指出，AI資料中心不僅需要高頻寬記憶體(HBM)，也需要傳統DRAM。例如，許多智慧代理型AI工作負載僅需傳統伺服器，而這類伺服器的需求同樣強勁，導致當前DRAM供應嚴重不足。
《TechInsights》預測SK海力士將在2026年生產4萬片晶圓，其中大部分將配置給HBM，Howard表示三星在南韓平澤市有部分產能，但美光科技位於美國愛達荷州的第二座晶圓廠要到2027年才能投產。
霍華德表示，由於供應嚴重不足，以及需求強勁，這種短缺導致DRAM製造商的產品售價上漲、利潤率提高。
DRAM供應短缺，消費電子產品受到衝擊
他說，無論HBM或DDR5的可用供應，都將分配給擁有充足資金的大型科技公司，這意味說智慧手機等消費電子產品，將首當其衝承受DRAM供應短缺的衝擊。
《TechInsights》對記憶體供應趨緊的預測，與另一家研究機構Counterpoint Research在2025年11月下旬發布的《生成式AI記憶體解決方案》雙周報告觀點一致。該報告預測，由於關鍵晶片短缺，記憶體價格可能從目前水準持續上漲，到2026年第二季的漲幅預估高達50%。
展望新的一年，DRAM需求將保持旺盛，2026年傳統記憶體製造商的資本支出將增加20%，但同時制定緊急應變計畫以備緊急煞車。
霍華德指出，目前產業集中關注DRAM，可能導致NAND快閃記憶體獲得的資源相對有限。但NAND快閃記憶體仍有可能迎來AI需求激增帶來儲存擴容的機會，以及HDD供應短缺引發SSD替代效應，也會使NAND顯著受益，因HDD產能遭遇瓶頸，將加速強化這一趨勢。