三星混合鍵合 HBM 延至 2029 年，瞄準輝達 Feynman 平台一次亮相
隨著高頻寬記憶體（HBM）持續朝更高堆疊層數與更高頻寬演進，市場普遍視混合鍵合（Hybrid Bonding）為下一代HBM 關鍵封裝技術。不過韓國業界消息傳出，三星可能將混合鍵合HBM 大規模量產時程延後至2029 至2030 年，並與NVIDIA 下一代Feynman AI GPU 平台同步導入。
混合鍵合技術將移除HBM 堆疊中各層DRAM 晶片之間的微凸塊（Micro Bump），改採銅對銅（Cu-to-Cu）直接鍵合，可大幅縮短晶片層間距離，進一步提升頻寬、降低功耗與改善散熱，因此被視為關鍵技術。
消息人士指出，三星評估混合鍵合真正具備成熟量產條件的時間點，將落在2029 至2030 年，預計搭配NVIDIA Feynman AI GPU 一同推出。
Feynman 是NVIDIA 接棒Rubin Ultra 的下一代AI 平台，先前輝達已透露，該平台將採用3D 堆疊架構，由英特爾負責部分先進封裝，並搭載客製化高頻寬記憶體（Custom HBM）。市場推測，Feynman 可能採用HBM5 或基於HBM5 發展的客製化版本。
據悉，三星最快將於今年底開始在平澤廠區安裝混合鍵合設備，但初期主要用於技術驗證與產線建置，真正量產仍需等待2029 至2030 年。
先前也有報導指出，混合鍵合最快從HBM4E 開始導入，而非更早世代產品。據悉，三星目前正向荷蘭半導體設備商貝思半導體（BESI）採購約50 台混合鍵合設備。但三星希望設備能客製化，不排除評估韓國本土設備廠採購的可能性。
至於客製化HBM，是在3D 系統級封裝（SiP）架構下，以客戶自有的邏輯晶片（Logic Die）取代傳統HBM 的Base Die，使記憶體與運算晶片整合更加緊密，進一步提升AI 運算效率與系統效能。
值得注意的是，近期傳出JEDEC 正研議放寬HBM 封裝厚度規範，使HBM4E 仍可沿用既有熱壓鍵合技術，降低業者短期內導入混合鍵合的迫切性。三星與SK 海力士等大廠都可能將混合鍵合全面商用的時間點延後至HBM5 世代，以與輝達Feynman AI GPU 問世相吻合。
（首圖來源：三星）