長江存儲擴產引發恐慌，分析師指四大因素強調短期難影響市場
近期傳出中國最大 NAND Flash 快閃記憶體製造商長江存儲（YMTC）計劃大幅擴產，引發市場對於記憶體供應過剩的擔憂。然而，產業分析師表示，半導體擴廠至量產需時數年，且在 AI 應用帶動的爆發性需求下，長江存儲的擴產不僅難以造成全球供需失衡，整體 NAND Flash 產業長期甚至將處於供給嚴重不足的狀態。
據路透社引述知情人士指出，長江存儲除了預計 2026 年在武漢投產的第三座工廠外，還規劃再建兩座新廠。若三座新廠全面投產，每廠月產能可達 10 萬片晶圓，這將使長江存儲現有每月 20 萬片晶圓的產能翻倍成長以上。
其中，第三座工廠預計到 2027 年每月可生產 5 萬片晶圓，且有超過 50% 的設備來自中國本土。儘管面臨美國出口管制，瑞銀集團（UBS）預估長江存儲的全球市占率將從 2025 年的 11.8%，在 2027 年初突破 14%，且其最新 Xtacking 4.0 架構的 294 層 3D TLC NAND 已量產，良率突破 90%。
然而，儘管長江存儲產能擴張動作頻頻，但針對此擴產消息，產業分析師提出關鍵觀點，認為市場無需過度恐慌。首先，擴產到量產存在時間差。分析師指出，半導體產業從建廠、設備進駐、製程調校到良率提升，通常需要 2 到 3 年的時間才能實際進入量產。因此，市場若因當下的擴產消息就擔憂短期內會出現供給過剩，在時間點的判斷上是完全錯誤的。
其次，AI 需求呈現百倍成長的無上限爆發。目前 NAND Flash 需求的成長主力已發生結構性轉變，不再僅依賴傳統的手機、PC 等消費性電子產品，而是轉向 AI 推論、資料中心與企業級儲存等結構性需求。專家強調，AI 應用帶動的儲存需求是百倍的成長增加，即便兩年後產能開出，單一原廠的供給增加速度依舊遠遠趕不上需求的爆發速度。
第三，產能將優先滿足中國龐大內需。中國本土市場在手機、PC、監控及 AI 等領域對 NAND Flash 儲存的需求龐大，長期處於供不應求的狀態。市場分析師評估，長江存儲的新增產能將會優先用於填補中國的內需缺口，因此對全球整體市場的供需影響相對有限。
最後，全球原廠資本支出仍具紀律。觀察目前全球主要的 NAND Flash 大廠，在資本支出上依舊保持審慎與紀律，並未出現全面性過度擴產的情況，整體產業的供需結構維持在健康狀態。因此，總結來說，市場分析師認為長江存儲的擴產計畫，反映的是對未來市場需求的信心，而非短期供需失衡的訊號。在 AI 推論與資料中心需求持續爆發的大趨勢引領下，NAND Flash 產業未來仍將面臨供給嚴重不足的趨勢，市場對於供過於求的風險實屬過度擔憂。
(首圖來源：長江存儲)