因應美國新規避風險 日媒：台積電2奈米製程首度全面排除中國設備
全球半導體龍頭台積電（TSMC）正大幅調整其供應鏈結構。多位知情人士向《日經亞洲》透露，台積電決定在最先進的2奈米製程產線中，全面淘汰中國製造的半導體設備，以避免未來美國可能推出的限制措施衝擊產能。
台積電的2奈米量產計畫今年將率先在新竹啟動，隨後在高雄建廠，並同步於美國亞利桑那州興建第三座同等級晶圓廠。這將是業界首度出現頂尖晶圓代工廠在旗艦製程中完全剔除中國設備的案例。
美國新法案推動產業「去中化」
根據《日經亞洲》報導，台積電的決策主要受到美國「晶片設備與製造防護法案」（Chip EQUIP Act）的影響。該法案由參議員馬克·凱利（Mark Kelly）主導，內容要求凡接受美國聯邦補助或稅務優惠的企業，不得採購「具安全疑慮的外國供應商」設備，業界普遍認為此一範疇直指中國廠商。
過去台積電在3奈米與5奈米部分製程中，曾使用中國中微公司（AMEC）的蝕刻機，以及由北京奕斯偉收購的美商Mattson設備。如今，隨著地緣政治風險升高，這些中國供應鏈已被台積電排除在2奈米之外。
調整供應鏈，中美市場分流
除了機台設備，台積電也開始盤點生產所需的各項原料與化學品，並逐步降低台灣及美國廠區對中國供應商的依賴。與此同時，台積電在中國的在地廠區則將增加與本土供應鏈合作，以符合中國政府推動「半導體自主化」的政策方向。
根據《日經亞洲》引述一位熟悉內部規劃的人士透露，這項「分流策略」能強化供應鏈韌性，一方面避免美國制裁帶來斷鏈風險，另一方面也能在中國市場維持合規營運。
3奈米轉換困難，2奈米先行切割
據悉，台積電早在一年前就打算在3奈米製程去除中國設備，但由於更換認證供應商需耗費大量時間，且存在影響良率與品質的風險，因此計畫延後。如今趁著2奈米尚在量產爬坡階段，才正式執行「全面去中」方案。
台積電董事長魏哲家表示，公司正加速亞利桑那州新廠建設，預估未來美國可占台積電先進製程（2奈米及以下）產能的三成。
美方專家憂中國設備急起直追
美國前高層官員暨半導體專家梅根·哈里斯（Meghan Harris）指出，中國設備商的部分產品距離國際競爭水準已不遠，若不加控管，恐在短期內衝擊全球市場秩序。她認為，除了推動Chip EQUIP Act，美國還應限制關鍵零組件出口，並禁止中國機台進入美國甚至其他盟國晶圓廠。
目前中國設備商在光刻機領域仍無法取代荷蘭艾司摩爾（ASML），但在蝕刻、沉積等環節已取得顯著進展。根據統計，中國最大設備商北方華創（Naura）已躍升全球第六大廠商，僅次於ASML、應用材料（Applied Materials）、東京威力科創（TEL）、科林研發（Lam Research）與KLA。
台積電低調回應，強調風險管理
對於是否已全面停用中國設備，台積電並未正面證實，只回應指出：「台積電的全球採購策略，一貫以風險控管與多元供應為核心，並與合作夥伴緊密協作，確保供應鏈韌性。」
外界分析，這顯示台積電在中美之間仍需維持微妙平衡，既要遵循美國法規，避免影響補助與市場准入，同時也要保留在中國的營運彈性。
台積電在2奈米製程中剔除中國設備，凸顯地緣政治正全面滲入半導體產業鏈。美中競逐下，台積電的「雙線供應鏈策略」將成為未來業界的重要參考，也為台灣在國際科技戰中再添一道考驗。