傳蘋果開始測試長鑫存儲DRAM ！美銀列三大障礙：難大規模導入 恐僅作為議價籌碼
蘋果上月底遭爆料稱正遊說美國監管機構批准其從中國長鑫存儲採購 DRAM 晶片，美國科技媒體《wccftech》引述知情人士最新報導指出，蘋果已開始在內部測試長鑫存儲的 DRAM，規劃用於在中國市場銷售的 iPhone 與 iPad，但目前尚未作出大規模量產導入的最終承諾，也未排除僅限特定機型試用。
但美國銀行在最新報告中潑冷水，認為蘋果「實質性採用」長鑫存儲 DRAM 的可能性偏低，並列舉以下三大阻礙：
一、地緣政策約束：長鑫存儲被列入美國國防部 1260H 名單，雖非出口禁令，但觸及敏感供應鏈審查，美國對中國的半導體管制政策形成實質硬性門檻，蘋果大規模導入須過華府合規關。
二、技術指標差距：蘋果行動裝置要求 LPDDR5X 記憶體傳輸速率逾 10Gbps、工作電壓 1.1V 並搭載 ECC 糾錯，長鑫存儲現有 LPDDR5X 最高速率雖可達 10.667Gbps，但受制於相對落後的製程，晶片寄生電容與漏電流偏高，功耗與散熱表現較難完全匹配旗艦 iPhone 嚴苛規格。
三、專利訴訟風險：全球 DRAM 核心專利池由三星、SK 海力士與美光長期壟斷，若蘋果大舉採用長鑫產品，極易遭第三方提告侵權，增加供應鏈法律成本與不確定性。
綜合上述阻礙，美銀研判指出，即便蘋果採用長鑫存儲 DRAM，初期也僅可能限於 iPhone 18e 等入門低階機型。
但美銀與多數分析師均指出，蘋果此舉具鮮明商業戰略意圖，盼將中國 DRAM 供應商納入潛在合格名單，可在與三星、SK 海力士、美光洽談今下半年至 2027 年供貨合約時，做為壓低報價、爭取急單溢價緩衝的議價籌碼，尤其當 AI 擠壓消費級記憶體產能、合約價高漲之際，擁有「備胎選項」本身就是談判槓桿。
供應鏈人士則解讀，蘋果歷來謹慎對待關鍵零組件雙源 (Dual-Source) 或多源策略，正式將長鑫存儲納入 BOM 前，仍須通過長週期的可靠度驗證、專利迴避分析與美國出口管制合規審核。
無論最終導入與否，蘋果「用腳投票」評估中國記憶體廠商，已釋出全球半導體供應鏈多元化重組的信號。
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