高層數堆疊 NAND 市場與技術都有挑戰，三星延後投資 V10 NAND
韓國媒體報導，面臨著複雜的內外部挑戰情況下，三星目前正就其下一代 NAND Flash 快閃記憶體 V10 的量產策略進行深度審慎評估。據了解，這項關鍵的投資計畫，原預計於 2025 年下半年啟動，現在則可能推遲到 2026 年上半年才能進行大規模的量產投資。至於延宕的主因，包括高堆疊層數 NAND Flash 需求的市場不確定性、引進新技術所伴隨的龐大成本壓力，以及新製程技術實際應用上的困難。
ZDnet Korea 報導，V10 NAND Flash 是三星在儲存技術領域的最新里程碑，其設計核心在於採用了約 430 層堆疊的儲存單元（Cell），這比目前市面上最先進的 V9 NAND（預估約 290 層堆疊）高出了超過 100 層。業界之前普遍預期，三星電子有望在 2025 年下半年便啟動 V10 NAND Flash 的量產投資。然而，截至本月，三星電子仍未能敲定 V10 NAND Flash 所需的蝕刻等關鍵製程設備的供應鏈。這主要歸因於高堆疊層樹的 NAND Flash 產品的市場需求存在不確定性，以及導入全新製程技術所衍生的成本效益問題，這些因素都嚴重阻礙了投資的步伐。
蝕刻製程的技術挑戰是導致量產延宕的核心問題之一，蝕刻是指在半導體晶圓上精確移除不必要的材料的關鍵步驟。傳統上，為在晶圓上建立出更深的通道孔（Channel Hole），蝕刻需要在攝氏零下 20 至零下 30 度的低溫環境中進行。然而，對於 V10 NAND，業界原預期將需要更為嚴苛的極低溫環境，即攝氏零下 60 至零下 70 度。極低的溫度有助於降低化學反應的活性，進一步使蝕刻過程即使在沒有保護層的情況下，也能達成極高的精確度。
三星從主要半導體前段製程設備供應商，包括美國的 Lam Research和日本的東京威力科創（TEL），引進了極低溫蝕刻設備，並進行了試生產及品質評估。然而，實際的評估結果顯示，將這種極低溫蝕刻技術直接應用於大規模量產存在顯著困難，這已成為業界普遍的結論。因此，三星電子目前正與 Lam Research 和 TEL 合作，發展調整蝕刻溫度至稍高的程度，並重新進行設備評估的方案。
這項針對蝕刻及相關設備的額外評估預計將於 2025年 下半年展開。考量到評估所需的時程，供應鏈的最終確立，以及實際的量產投資，最早可能也要等到 2026 年第一季才能達成。除了技術上的挑戰，新設備的導入也意味著更高的初期投資成本，這亦是三星電子延後 V10 NAND 量產投資的另一主要考量因素。
(首圖來源：三星)