中國長鑫存儲量產 12 層堆疊 HBM，與韓系廠商技術落差三年內
根據外媒報導，中國記憶體晶片製造商長鑫存儲（CXMT）已開始大規模生產 12 層高頻寬記憶體（HBM），這代表著中國製造商與韓國領先企業自產業發展初期以來的技術差距正顯著縮小。這項 12 層堆疊技術的里程碑，使長鑫存儲具備了進軍最高階人工智慧（AI）硬體生產領域的能力。
根據 technetbooks 的報導指出，長鑫存儲跨入此專業領域僅三年，便達成了 12 層 HBM 量產的關鍵轉折點。對此，產業觀察家指出，儘管 SK 海力士（SK Hynix）和三星電子（Samsung Electronics）長年主導市場，但如今雙方的製造能力差距已縮短至不到三年。長鑫存儲成功掌握了垂直堆疊（包含正確的 DRAM 層次鍵合） 這項高難度製程，展現了中國本土半導體生態系統已達到先進的發展水準。
在製造策略上，長鑫存儲選擇透過龐大的產能來擴大市場影響力。報導表示，該公司將其 DRAM 總產能的約 20% 全數投入 HBM 製造，這項積極的轉型使其每月晶圓產能高達 6 萬 片。儘管目前的生產良率仍低於韓國競爭對手，但長鑫存儲的焦點在於全面滿足中國國內 AI 產品的市場需求，同時也為未來進軍國際市場進行戰略布局。
為了維持這股發展動能並擴大規模，長鑫存儲正尋求透過公開上市 IPO 籌集 42 億美元的資金。這筆龐大的資金將用於建設新的 HBM 生產設施及升級現有的 DRAM 製造中心。目前該公司正與國內外設備供應商密切合作，預計在 2026 年完成關鍵的生產基礎設施。財務上的挹注，也將協助長鑫存儲進一步強化其鍵合技術與熱管理系統。
隨著長鑫存儲成功推出具備功能的 12 層 HBM 產品，三星與SK海力士等現有市場領導者正面臨越來越大的競爭壓力，必須加速採用更先進的製造技術以維持其產業領導地位。產業專家預測，這場記憶體大戰的下一階段，將會聚焦於 16 層堆疊與混合鍵合（hybrid bonding）技術的開發與競爭。
(首圖來源：長鑫存儲)