美國補助新規設紅線　日經：台積電2奈米製程設備全面「去中化」

由於美國可能推動「晶片設備與製造防護法案」，要求接受美國補助的企業不得採購「具安全疑慮的外國供應商」設備的狀況下，日經亞洲引述消息報導，台積電決定在最先進的2奈米製程產線中，全面淘汰中國製造的半導體設備，以避免未來美國可能推出的限制措施衝擊產能。

日經亞洲25日報導，台積電的2奈米量產計畫今年將率先在新竹啟動，隨後在高雄建廠，並同步於美國亞利桑那州興建第3座同等級晶圓廠。這將是業界首度出現頂尖晶圓代工廠在旗艦製程中完全剔除中國設備的案例。

知情人士向日經亞洲透露，台積電此決策是受到美國潛在新規「晶片設備與製造防護法案」（Chip EQUIP Act）影響。該法案由參議員凱利（Mark Kelly）主導，要求凡接受美國聯邦補助或稅務優惠的企業，不得採購「具安全疑慮的外國供應商」設備，業界普遍認為此一範疇直指中國廠商。

台積電在先前一些先進製程產線中，曾經使用過中國設備，其中包括中國本土龍頭晶片設備商中微公司（AMEC）的蝕刻機，以及2016年被北京奕斯偉收購的美商Mattson設備。如今，隨著地緣政治風險升高，所謂的「在地化」努力不只涵蓋生產本身，也延伸到整體供應鏈的韌性，這些中國供應鏈已被台積電排除在2奈米外。

多位知情人士表示，除了機台設備，台積電也開始盤點生產所需的各項原料與化學品，並逐步降低台灣及美國廠區對中國供應商的依賴。與此同時，台積電的中國廠區則將增加與本土供應鏈合作，以符合中國的政策優先方向。

知情人士表示，台積電早在一年前就打算逐步汰換3奈米技術的中國製設備，但由於更換認證供應商需耗費大量時間，還可能影響良率與產品品質。基於這些考量，台積電最後決定要趁著2奈米正好要進入量產階段開始，逐步執行設備「去中化」。台積電董事長暨執行長魏哲家表示，公司正在加快亞利桑那州半導體廠的建設進度，待擴建完成後，美國的產能將可能占台積電最先進晶片產能的3成左右。

美國政府前高官、半導體專家哈里斯（Meghan Harris）告訴日經亞洲，有些中國設備距離國際競爭力已經不遠，必須採取措施防止中國設備製造商摧毀全球市場。她認為，不只要推動「晶片設備與製造防護法案」，還必須管控關鍵零組件的供應，阻止中國再本土自行研發設備，避免中國設備進入美國晶圓廠，最好還能阻止他們進入其他市場。

雖然中國主要晶片製造商近年加強使用國產設備，但日經報導，光刻機仍由荷蘭的晶片微影設備製造商艾司摩爾（ASML）壟斷，中國至今尚未開發出可行的替代方案。然而，在其他設備環節，中國企業已取得顯著進展，成功打造本土解決方案。其中，中國最大的半導體設備製造商北方華創（Naura）已躍升為全球第6大廠商，僅次於荷蘭的艾司摩爾、美國的應用材料（Applied Materials）、日本的東京威力科創（Tokyo Electron）、美商科林研發（Lam Research）和科磊（KLA）。