中國長鑫存儲宣布第5代DRAM平台量產
中國動態隨機存取記憶體（DRAM）製造商長鑫存儲（CXMT）宣布，其第5代技術平台已進入量產階段。此進展有望提高晶片產出並降低成本，協助中國在全球記憶體市場與三星電子、SK海力士及美光等大廠展開競爭。
路透社（Reuters）報導，總部位於合肥的長鑫存儲（CXMT）在合肥舉行的2026世界製造業大會上表示，新平台成功將晶片資料儲存區域的關鍵間距縮小至11.95奈米，並透過「四重圖案化」（quadruple patterning）技術製造更精細的電路。長鑫存儲副總裁兼行銷中心負責人 Luo Xiaodong 指出，該公司的製程能力已與業界最先進的量產節點並駕齊驅。
長鑫存儲同時發表兩款採用新平台製造的24Gb LPDDR5X低功耗記憶體晶片，主要應用於智慧型手機與可攜式電子裝置。長鑫存儲表示，這些新產品已投入量產，資料容量比該公司先前的同級產品增加50%，並提供兩種封裝規格以配合不同裝置設計。
長鑫存儲指出，若以8Gb晶片為基準，新平台每片晶圓能產出的晶粒數量比第4代平台至少提升50%。該平台是長鑫存儲利用電腦模擬，並與中國本土晶片設備商在關鍵生產步驟合作研發而成。
當前北京當局正尋求降低對外國半導體技術的依賴，而美國自2022年以來的出口管制措施，持續限制中國獲取特定先進製程設備與相關軟體。
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