挑戰台積電？華為新技術「繞開EUV光刻機」 喊2031量產1.4奈米晶片
中國科技巨頭華為今日（5/25）正式發表「韜定律」，聲稱可透過「邏輯折疊」等創新技術，有望在2031年生產1.4奈米晶片。若成真，華為將不僅縮短與半導體龍頭台積電的差距，還可能在無需尖端設備的情況下，於先進半導體製造領域取得突破。
綜合中國媒體報導，華為公司董事、半導體業務部總裁何庭波25日在上海舉行的2026國際電路與系統研討會發表主題演講時，正式發表「韜（τ）定律」，而華為過去6年已成功根據該定律設計並量產381款晶片。
據報導，「韜定律」提出以「時間縮微」替代「幾何縮微」，以系統性降低時間常數（韜τ）為目標，透過邏輯折疊等創新技術，持續壓縮訊號傳播延遲（propagation delay），不斷提升電晶體密度，達成半導體與電子系統的持續演進。
報導稱，「韜定律」構建了貫穿電子元件、電路、晶片到系統層面的多層級協同優化體系，而今秋將發布新的麒麟手機晶片，亦完整採用邏輯折疊技術，大幅提升相關性能。預計到2031年，基於該定律的尖端晶片電晶體密度將達到1.4奈米製程的同等水準。
彭博新聞報導，台積電目前的技術能力，與華為及其製造夥伴中芯國際所能生產的產品之間存在約5年的差距，而台積電曾表示，將於2028年開始量產1.4奈米產品。
如果華為能在沒有尖端設備的情況下，成功量產1.4奈米半導體，這意味著將對光刻機龍頭「艾司摩爾」（ASML）造成挑戰。該公司生產的極紫外光（EUV）微影光刻機是量產5奈米或更先進晶片不可或缺的設備，而這些晶片將用來驅動最先進的人工智慧（AI）技術。
總部位於廣東深圳的華為，因美國主導、歷時數年的多國聯合行動影響，其輸入先進晶片與設備面臨管制，導致中國的AI發展受到一定程度的制約。此後，華為便一直站在北京推動半導體「自立自強」的最前線。
去年9月，華為公布一份為期3年的昇騰系列晶片及演進路線圖，計劃推出一系列AI晶片，以填補AI晶片巨頭輝達（Nvidia）離開中國市場後留下的空白。