SK海力士ADR重挫引爆獲利賣壓，美光、閃迪、威騰及希捷全線急速跳水

【財訊快報／陳孟朔】SK海力士(美股代碼SKHY)美國存託憑證(ADR)掛牌第二天重挫，引爆全球記憶體與儲存股獲利了結，美光科技(美股代碼MU)、閃迪(美股代碼SNDK)、威騰電子(美股代碼WDC)及希捷科技(美股代碼STX)週一同步急跌。市場原先高度押注AI數據中心帶動記憶體與儲存需求長期擴張，但SK海力士財測低於預期、HBM4出貨進度不如市場期待，加上相關個股今年累積漲幅龐大，使投資人重新檢視估值及擴產後的週期風險。美光收跌42.30美元或4.32%，報937美元，成交金額高達324.84億美元，居週一美股個股成交額首位；閃迪重挫241.95美元或12.63%，報1,673.97美元，成交233.15億美元，排名第三，淪為標普和那指100指數第二大輸家。威騰電子急跌4.64%，報555.55美元，希捷科技則重挫5.46%，報860.66美元；SK海力士ADR下跌9.32%，費城半導體指數同步急瀉4.78%，30檔成分股全數收黑。
SK海力士跌勢成為直接導火線。韓國投資證券預估其第二季營業利益較市場共識低約8%，加上HBM採取長期協議定價，短期未能完全受惠於通用DRAM漲價，令市場擔心記憶體價格上漲未必能等比例轉化為獲利。SK海力士韓股今年一度上漲超過兩倍，美國ADR掛牌首日亦大漲近13%，高檔籌碼鬆動後，賣壓迅速外溢至同屬記憶體及數據儲存題材的美光、閃迪、威騰與希捷。
美光日前宣布，將2035年前在美國的投資承諾由2,000億美元提高至超過2,500億美元，涵蓋紐約州、愛達荷州及維吉尼亞州等DRAM製造與研發項目，長期目標是在美國生產約四成DRAM。這項擴產反映公司看好AI記憶體需求，但在SK海力士、三星電子及美光同步加碼資本支出的背景下，市場開始擔心產能於數年後集中開出，可能重演記憶體產業供過於求的循環；因此，週一跌勢更像是由SK海力士觸發的整體估值及週期風險重估，而非美光單一投資計畫遭到否定。

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