長鑫存儲積極擴大 HBM 產線，滿足中國無法取得國外產品需求
外媒報導，受美國制裁影響，中國難取得 AI 用高頻寬記憶體 (HBM)，使 AI 發展也受阻。一度停滯的長鑫存儲科技 (CXMT) 大規模設備投資也因此已經重啟。重啟原因，是長鑫存儲計劃引進大量新設備擴大產能，量產最新 DRAM DDR5，並在此基礎上開發 HBM3 高頻寬記憶體產品。
報導引用市場消息，長鑫存儲第三季開始下訂設備，於安徽省合肥市生產基地建立產線。長鑫存儲最初告知設備供應商，年初開始訂購新設備大幅提升產能。但受DDR4停產及美國可能有更嚴格出口禁令影響，新設備延後進廠。長鑫存儲2026年HBM產能將達每月5萬片晶圓，約三星和SK海力士2026年HBM產能20%~25%。2025年第一季，長鑫儲存占據全球DRAM市場約6%。
美國半導體法規限制，中國難從輝達和AMD等公司取得AI晶片，故加速技術獨立。問題在美國政府管制AI晶片組成關鍵零件高頻寬記憶體（HBM）。英國金融時報報導，中國國務院副總理何立峰與美國財政部長Scott Bessent貿易談判，中方要求放寬HBM出口限制。
長鑫存儲加緊推動HBM國產化。長鑫存儲已完成HBM2開發，加速HBM3量產，2024年開始大規模投資設施。長鑫存儲已停止生產DDR4 DRAM，改成現有DDR4設備升級至DDR5產線。美國正考慮將長鑫存儲列入出口限制實體清單，進口設備引進也延期。
中國HBM短缺加劇，長鑫存儲似乎急著引進新設備，香港南華早報報導，HBM短缺可能阻礙AI競爭力，儘管中國兩家最大記憶體公司長鑫存儲和長江存儲取得進展，但產能和技術成熟度仍落後國外公司。
市場預測，中國短期難於HBM市場占主導地位。中國研發中HBM不僅型號較老，且堆疊DRAM據稱也落後國內企業兩三年前量產的10奈米級1a製程。三星和SK海力士正在用10奈米級1b製程DRAM生產HBM，比長鑫存儲領先一兩代。市場人士指出，長鑫存儲HBM商業化和進入市場還需要相當長時間，對2026年HBM市場影響有限。
(首圖來源：長鑫存儲)