拆解 Mate 80 系列確認：華為麒麟 9030 採中芯 N+3 製程
根據 Wccftech 報導，中國華為最新一代行動裝置系統單晶片（SoC）麒麟 9030，近日經半導體研究機構 TechInsights 拆解確認，採用中芯國際 N+3 製程，相較前一代 N+2 製程再向前推進一步。
華為近期發表 Mate 80 與 Mate X7 智慧型手機，分別搭載麒麟 9030 與麒麟 9030 Pro 晶片，成為目前華為旗艦行動裝置的核心平台。
根據外電整理，標準版麒麟 9030 採用 8 顆 ARMv8 CPU 核心、12 執行緒設計，初步測試顯示，其主核心時脈約為 2.75GHz，效能核心約 2.27GHz，能效核心則約 1.72GHz。至於 麒麟 9030 Pro，則進一步升級為 9 顆 ARMv8 CPU 核心、14 執行緒，採 1+4+4 核心配置，時脈設定與標準版相同。
TechInsights 指出，雖然中芯 的 N+3 製程在命名上較前代再進一步，但其技術本質仍屬於對既有 7 奈米節點的延伸，中芯的 N+3 製程水準仍難以與台積電或三星的 5 奈米製程相比。
其 N+3 主要透過 DUV 多重曝光與設計與製程協同優化（Design-Technology Co-Optimization） 來實現密度提升。該機構認為，N+3 製程在前段製程（FEOL）如電晶體幾何結構、鰭片間距與接觸間距等關鍵指標上，並未出現顯著突破。
相較之下，中芯在麒麟 9030 上的製程策略，較偏向透過後段製程（BEOL）互連結構的優化來取得有限進展。然而，研究機構也指出，DUV 條件下進行高度多重曝光，對對準精度與製程穩定性要求極高，一旦誤差放大，良率風險將快速上升。
在美國持續限制先進 EUV 微影設備出口的情況下，中國半導體業者無法依循國際主流製程路線，只能透過自有製程與設計技術持續優化，在既有節點上推進製程能力，以滿足本土智慧型手機與相關終端產品的產業需求。
（首圖來源：科技新報）