洪嘉聰：聯電攜手英特爾推進12奈米製程 明年美國量產
〔記者洪友芳／新竹報導〕晶圓代工廠聯電(2303)董事長洪嘉聰指出，聯電與英特爾於美國合作開發12奈米FinFET製程，合作進展順利，英特爾已完成製程技術轉移，順利導入製程技術，並正加速於亞利桑那廠區進行製程驗證，預計今年完成驗證，預計明年進入量產，將成為聯電在美國本土的第一個生產基地。
聯電將於5月27日召開股東會，洪嘉聰在致股東的營業報告書中指出，聯電12奈米FinFET 製程技術平台(12FFC)，相較於14FFC，12FFC具備更小晶片尺寸、更低功耗及更高性能，充分發揮FinFET優勢，廣泛應用於各類半導體產品。
他表示，聯電與英特爾於美國合作開發12奈米FinFET製程，是聯電推動具成本效益、產能擴張及技術升級的重要策略佈局。目前合作進展順利，英特爾已於本年度完成製程技術轉移，順利導入聯電的高效能、低功耗及小晶片面積的12奈米FinFET製程技術，並正加速於亞利桑那廠區進行製程驗證，預計今年完成驗證，明年進入量產，將成為聯電在美國本土的第一個生產基地。
在先進封裝技術，洪嘉聰表示，聯電在高效能運算(HPC)及雲端AI應用方面，已成功於矽中介層中導入深溝槽電容(DTC)，為2.5D封裝晶片提供優異電源完整性，並已出貨給主要客戶；移動設備射頻元件(RFFE)已利用晶圓級混合鍵合技術(W2W hybrid bonding)實現尺寸微縮並進入量產；在邊緣人工智慧(Edge AI)領域，主動式中介層(Active interposer)結合中矽穿孔技術(TSV-Middle)與邏輯製程，現正與多家客戶進行驗證。
在12吋矽光子技術開發，洪嘉聰表示，聯電已取得全球知名研發機構imec的 iSiPP300 矽
光子製程技術授權，正全力投入12吋矽光子技術研發，目前已正式進入試產階段。未來將結合聯電多年半導體製造經驗，推出12吋矽光子技術平台，以瞄準下世代高速連接應用市場。
聯電也強化14奈米FinFET嵌入式高壓製程技術平台(14eHV)，將高壓25V製程與14FFC(14nm FinFET Compact)技術結合，性能較22/28 奈米高壓製程大幅提高，晶片尺寸更小、功耗更低，競爭力顯著提升。
洪嘉聰指出，聯電在28奈米嵌入式高壓低功耗製程平台(28eHV-LP)，今年度已將此平台延伸應用於筆記型電腦面板驅動晶片DDIC，相較於傳統DDIC，可降低15%功耗。平台也專注於元件微縮與整合，為驅動晶片設計公司提供更高競爭力，奠定未來中型面板應用基礎。
在非揮發性記憶體製程平台，聯電28奈米非揮發性記憶體製程平台(28ESF4)已完成通用及物聯網微處理器(Generic & IoT)及車用電子(Auto G1)驗證，並與多家客戶展開終端產品設計合作，預計今年陸續完成客戶驗證。22奈米電阻式記憶體製程平台(22RRAM)則與力旺電子合作，於今年度完成平台升級，操作溫度範圍由 -40° C ~ 105° C提升至 -40° C ~125°C，並已與多家客戶展開產品設計合作。
聯電今年也完成55奈米BCD非磊晶(BCD-NonEpi)及BCD絕緣層上覆矽(BCD-SOI)第一階段元件開發與設計規範，聚焦車用電子、行動裝置及工業控制等電源管理(PMIC)應用。同時完成BCD磊晶製程(BCD-Epi)初步元件開發，目前客戶測試晶片正在驗證中，預計民國今年下半年進入量產。
110奈米BCD3.3V新應用平台，聯電新增1.5V 數位元件，並完成5V至30V類比元件的 FDK 建置，預計今年完成製程開發並通過驗證，明年進入量產。153奈米客製化手機功率 IC(PMIC)已於2024年試產成功，今年度順利量產。
聯電的射頻絕緣半導體技術(RFSOI)製程平台也有突破，40奈米RFSOI毫米波(mmWave)技術將於今年量產，高性能功率放大器新元件也在開發中。針對RF3頻段天線調諧器的 40RFSOI-FR3 技術已完成驗證，預計今年啟動客戶原型設計。22 奈米 RFSOI 正處於開發階段，為40GHz 以上市場應用做準備。RFSOI 平台的3D IC解決方案已開發完成，可供客戶進行原型設計。
展望營運，洪嘉聰指出，儘管地緣政治與產能過剩的挑戰依然存在，隨著終端市場庫存調整不均的現象逐步緩解，AI應用的興起將為產業注入強勁動能，聯電對全球半導體產業的前景、公司未來發展充滿信心，憑藉46年的製造經驗、完整的技術平台及高效多元的營運模式，將持續在現有基礎上深耕，聚焦推動技術研發、多元產能、卓越製造與永續淨零，致力為所有股東創造穩健回報與長遠價值。
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