三星HBM4在輝達測試中獲得最高分 明年供應樂觀
韓國《每日經濟新聞》報導，三星電子的第四代高頻寬記憶體（HBM4）在輝達 (NVDA-US) 下一代人工智慧加速器「Vera Rubin」的測試中獲得最高分，明年供應前景樂觀。
報導引述消息人士指出，輝達相關團隊上週訪問三星，報告了 HBM4 系統級封裝（SiP）的測試進度。會議中透露，在運行速度與功耗效率兩項核心指標上，三星的產品表現名列所有記憶體廠商之首。因此，三星電子 HBM4 通過輝達認證，並於明年上半年供應的前景變得樂觀。
據悉，輝達要求的明年三星電子 HBM4 供應量大幅超出內部預期，這也有望為三星電子業績改善帶來顯著助力。雙方預計明年第一季簽署供貨協議，三星可能在第二季正式向輝達交付晶片。
三星電子一名高層指出：「不同於上一代 HBM3E，這次在 HBM4 的開發上，整體研發團隊的氛圍是由我們領先。」並補充說：「預期明年將能取得具體且有意義的成果。」三星電子表示，無法對外證實輝達測試相關事項。
另一方面，SK 海力士因已於 9 月底完成 HBM4 量產準備，目前仍比三星電子領先約三個月。特別是，SK 海力士已向輝達提供付費樣品，實際上等同於啟動量產。不過，回顧 HBM3E 當初量產時曾拉開約一年的差距，這次雙方的差距已迅速縮小。
值得關注的是，由於量產時程落在明年第二季，在 SiP（系統級封裝）方面獲得高度評價的三星電子，未來進一步擴大供貨的可能性不小。
SiP 是將多顆半導體晶片整合於同一封裝內的技術。以 HBM4 為例，封裝中會同時包含 GPU、記憶體晶片、矽中介層（interposer）以及電源晶片。