南韓記憶體大廠SK海力士 搶進先進封裝
南韓記憶體大廠SK海力士搶進先進封裝領域，有意在美國印第安納州西拉法葉（West Lafayette）投資38.7億美元（約新台幣1,212.7億元），建置用於AI的先進封裝生產基地。業界認為，此舉有助SK海力士鞏固其在高頻寬記憶體（HBM）市場領導地位，並將搶食目前台積電（2330）稱霸的2.5D先進封裝市場大餅。
SK海力士規劃，印第安納州工廠將生產新一代HBM等AI記憶體產品，並且是「業界首次在美國投資用於AI的先進封裝生產設施」，也是SK海力士在美國第一座廠。
SK海力士對印第安納廠區仍在研擬各項方案，尚未敲定具體計畫，但預計2028年下半年開始量產，可在當地創造超過1,000個工作機會。
業界分析，先進封裝成為AI世代的兵家必爭之地，2.5D封裝技術已是整合HBM與高效能GPU、CPU的核心製程。主要透過在晶片與基板之間導入矽中介層，大幅縮短晶片間傳輸距離，提升資料傳輸速率並降低功耗，是目前AI加速器效能提升的關鍵，多款高階AI晶片皆以2.5D封裝架構提升性能。
過往AI加速器供應鏈中，2.5D封裝產能長期集中於台積電體系，記憶體廠多半僅扮演元件供應角色。SK海力士此次選擇在美國自建先進封裝產線，除強化HBM與封裝製程的整合，提升交付穩定度、釐清品質責任，未來更有機會提供HBM搭配先進封裝的一站式服務，擴大在AI半導體供應鏈中的主導權。
SK海力士強調，選在印第安納州建廠，主要考量州政府的全力支持、成熟的製造基礎設施，以及普渡大學在半導體與先進研究領域的人才優勢，除美國投資外，南韓國內的長期擴產計畫亦將同步推進，包括規模達120兆韓元的龍仁半導體集群建設。