長鑫存儲 DDR5 在 AMD 平台突破 9,000MT/s 速率，力拚全球三大廠性能
中國記憶體龍頭長鑫存儲（CXMT）在 DDR5 研發與生產上取得重大進展，其晶片在 AMD 平台上成功突破 9,000 MT/s 的傳輸速率大關，展現出足以與美光（Micron）、SK 海力士（SK hynix）及三星（Samsung）等全球三大 DRAM 巨頭競爭的實力。
根據最新的實際測試數據顯示，一組容量為 48 GB（24GB×2）的Colorful iGame Shadow II 記憶體模組，搭配 Colorful iGame X870E VULCAN W OC 主機板，在 AMD 平台上成功達成了 9,000 MT/s 的超頻傳輸速度。根據測試數據，該記憶體套件的實際運作頻率達到 4,507 MHz，得益於雙倍數據速率（Double Data Rate）技術，實際傳輸效能高達 9,014 MT/s。
事實上，長鑫存儲在2025年底曾宣布其自主研發的 DDR5 記憶體可達到 8,000 MT/s 速度，而本次超頻測試結果證實了該晶片在最新的硬體平台上有著更出色的極限效能。
除了追求極限傳輸速度，長鑫存儲也積極改善記憶體的延遲效能。目前部分 Colorful iGame Shadow II 記憶體套件正陸續在華碩（ASUS）主機板上進行測試，以達到超低延遲表現。而在最新的 AMD 與 Intel 平台上，已成功測試了運作在 6,000 MT 且延遲僅為 CL30 的 DDR5 套件，甚至已展開 CL28 延遲的初步測試。不論是傳輸速率還是延遲表現，長鑫存儲的記憶體產品都正在跟上國際一線大廠的規格標準。
在生產製造端，長鑫存儲同樣展現出量產的實力。相關報告指出，長鑫存儲目前採用 17 奈米（nm）製程節點來生產 DDR5 晶片，且晶片的生產良率已高達 90%。這項數據僅比全球最大記憶體製造商三星在其 10 奈米級製程生產 DDR5 晶片的良率（約 92%-93%）低了 2% 至 3%。高良率不僅象徵長鑫存儲的生產品質已高度逼近國際頂尖水準，更為其未來的產能擴充與市場競爭奠定了基礎。
(首圖來源：長鑫存儲)