記憶體極限突破！「以鉬代鎢」掀材料革命 三星、SK海力士引爆轉型潮 台灣供應鏈熱度升溫

隨著 AI 算力需求帶動記憶體晶片邁向極限微縮，半導體材料領域正迎來一場沉寂數十年的關鍵革命。記憶體巨頭三星電子（Samsung Electronics）、SK 海力士（SK Hynix）及美光（Micron）相繼宣告，在 300 層以上的超高層 3D NAND 與次世代 DRAM/HBM 關鍵製程中，正式引進高純度「鉬（Mo）」金屬，逐步取代過往被視為標配的「鎢（W）」。此一「鉬進鎢退」的趨勢，正帶動全球半導體關鍵材料與加工供應鏈重新洗牌，台廠相關供應鏈業者可望搶攻龐大轉單與升級商機。

物理極限倒逼材料革新：鉬金屬的三大關鍵勝因

半導體產業沿用金屬鎢導線已有逾 25 年歷史。然而，隨著 3D NAND 堆疊層數衝破 300 層大關，線寬壓至 10 奈米以下，傳統鎢導線遇到三大物理瓶頸：

• 極限尺度下電阻暴脹：鎢在 10 奈米以下的微小線寬中，受電子散射效應影響，電阻率呈指數型暴增，引發嚴重的訊號傳輸延遲（RC Delay）與過熱功耗。

• 阻擋層（Barrier Layer）擠搭空間：鎢易擴散，必須塗覆層氮化鈦（TiN）阻擋層。但在超微細管線中，阻擋層就占據近 40% 的空間，大幅壓縮實際導電截面積。

• 高深寬比填充空洞化：在高深寬比的深孔與溝槽中，傳統 CVD 沉積鎢容易產生填孔空洞，嚴重影響晶圓良率。

相對地，鉬（Mo） 在奈米尺度下的薄膜電阻率比鎢降低 30% 至 50%，且與介電質黏著性佳、無需阻擋層。配合原子層沉積（ALD）技術，鉬能完整填滿高深寬比溝槽，徹底解鎖 3D NAND 字元線（Word Line）與先進 DRAM 的瓶頸。

國際巨頭量產時程與進程

各大記憶體原廠已陸續將鉬材料鎖定為世代升級核心：

• 三星電子（Samsung）：早在 286 層 3D NAND 製程中即率先導入鉬字線，並預計於第 10 代 400 層以上超高堆疊產品中全線採用鉬製程。

• SK 海力士（SK Hynix）：375 層第 10 代 3D NAND 正式完成量產驗證，字線金屬柵極首度以鉬全面取代鎢，預計將於底前啟動量產。

• 美光（Micron）：同步推動 NAND 與 DRAM 雙線轉型，預估將於次世代高頻寬記憶體（HBM）與高層數 NAND 中加速導入。

台灣半導體材料與高階加工供應鏈受惠名單

隨國際大廠由「鎢」轉「鉬」，台灣半導體材料、高純金屬加工及特化代理業者也迎來新的成長動能：

廠商名稱 股票代碼 在「鉬」技術革新中的角色與優勢 華鉬 6990（興櫃） 國內唯一鉬金屬專業大廠，積極轉型跨入半導體級高純鉬材料與二維半導體二硫化鉬（$\text{MoS}_2$）研發，卡位「鉬進鎢退」商機。 翔名 3583 國內離子植入機與高溫爐管耗材龍頭，長期深耕鎢、鉬等難熔金屬超精密加工，具備提供半導體設備鉬關鍵零組件實力。 光洋科 1785 國內高純度濺射靶材龍頭，積極佈局前瞻半導體高純度金屬靶材（含鉬靶材）之提純與製造技術。 崇越 / 華立 5434 / 3010 半導體特化材料代理雙雄，隨先進記憶體導入高純度固體鉬前驅體（Mo Precursors），代理網絡可望同步挹注出貨動能。

產業展望

法人分析指出，金屬鉬從傳統鋼鐵與軍工航太材料，躍升為先進記憶體關鍵戰略材料，代表半導體材料物理演進的新里程碑。隨著 2026 至 2027 年全球 300 層以上 3D NAND 與 HBM 製程進入大規模滲透期，擁有鉬金屬提純、靶材與精密加工能力 的台灣台鏈業者，將成為全球 AI 記憶體強勁需求下的另一大長遠受惠族群。

▲翔名日K線圖(圖片來源:Yahoo股市)

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