國科會吳誠文訪視成大晶體研究中心產官學聚焦次世代半導體技術布局

【勁報記者于郁金/臺南報導】國立成功大學晶體研究中心近日在成大台達大樓(臺南新市區)舉辦「晶體與化合物半導體科技發展交流會」，邀請國家科學及技術委員會主任委員吳誠文親自率團蒞臨，並同步邀集國內半導體關鍵產業高層及學界代表共同參與；此次交流締造產官學三方具指標意義高層對話，與會企業整體涵蓋：光學、III-V化合物半導體、SiC材料、矽光子、先進封裝及設備等領域，透過強化「政策×產業×學研」緊密連結，將共同為臺灣次世代半導體技術發展提供重要方向。

國科會主委吳誠文近日上午訪視成大晶體研究中心。現場成功大學團隊、中山大學團隊以及20家企業與會。吳誠文主委表示，疫情、地緣政治、戰爭、環境變遷等，帶給臺灣很多機會；產業是臺灣國際外交重要助力之一，今日會議匯集來自光領域學界、產業界重要領導人，會中交流的想法與建言是政府團隊未來努力方向；AI時代，政府也會從國家角度協助相關產業鏈發展，期待未來臺灣不只晶圓代工供應鏈，還能從材料開始，建置光通訊、AI機器人等完整生態系，「我會努力整合各部會協助大家，一起創造更高價值、開創更美好未來。

成大晶體研究中心2025年揭牌，由成大半導體學院副院長周明奇教授主持，致力打造晶體研究關鍵量能。周明奇教授表示，延續2025年啟動後研發能量，本次交流會進一步深化產學鏈結，聚焦探討次世代半導體關鍵材料與技術發展；目前成大晶體研究中心已在碳化矽(SiC)與氧化鎵(Ga₂O₃)等次世代化合物半導體材料領域建立關鍵技術優勢，並持續推動技術邁向產業化應用，強化臺灣在全球半導體市場競爭力。

是日上午訪團一行在實驗室參訪後，聆聽技術簡報；參訪內容涵蓋SiC磊晶、無塵室、大尺寸晶體生長與Ga₂O₃實驗室等核心設施，對於中心整體研發環境與技術實力，訪團表達高度的肯定；同時，企業界代表亦就「產業需求」與「政策支持」提出具體建議。

本次展示成大晶體研究中心多項前瞻研究成果，包括：大尺寸碳化矽(SiC)單晶與磊晶技術、氧化鎵(Ga₂O₃)超寬能隙材料、晶體成長與高溫製程關鍵技術、矽光子(Si Photonics)與III-V材料整合；同時，並以「異質整合」為核心，串聯化合物半導體材料及元件與矽光子，建立涵蓋「材料→製程→元件→次世代封裝」完整技術鏈與國家級平台布局。

周明奇教授長年深耕晶體科學與關鍵材料研究，致力推動臺灣在次世代半導體與高階光電材料領域自主研發與國際布局，其研究成果兼具學術突破與產業價值，對提升國家科技競爭力貢獻卓著；2024年轉任成大半導體學院後，率領團隊進駐臺南科學園區，在學校、政府及產業界支持下，迅速建置逾400坪國際級研究基地，並導入高階晶體生長設備，大幅提升我國高端晶體材料研發能量。

周明奇教授研究聚焦於碳化矽(SiC)與氧化鎵(Ga₂O₃)等次世代化合物半導體材料，應用涵蓋電動車、高效率電源管理、智慧電網、高頻通訊及先進光電元件；團隊積極突破長晶技術、缺陷控制與製程優化瓶頸，推動材料自主供應與技術升級，對臺灣半導體供應鏈發展具深遠意義。

此外，周明奇教授亦拓展晶體跨域應用，與國際團隊合作開發高功率薄片型雷射系統，應用於精密加工、醫療與光通訊等領域；同時面對人工智慧浪潮，提出「Crystals in AI」與「AI in Crystals」雙向策略，結合材料研發與AI技術，開創智慧晶體材料研究新典範。(成功大學提供照片)