格芯宣布完成 22FDX 製程技術開發，即將用於生產 eMRAM

根據國外科技媒體 《anandtech》 的報導指出，全球晶圓代工大廠 GlobalFoundries （格芯） 於 27 日宣佈，該公司已經已經完成了 22FDX （22 奈米 FD-SOI）的技術開發，而這項技術未來將投入嵌入式磁阻非易失性記憶體 （eMRAM） 的生產。

報導指出，eMRAM 這種新世代的記憶體綜合了 RAM 記憶體、NAND Flash 快閃記憶體的優點，除了新型非易失性存儲介質在斷電後不會失去數據，而且寫入的速度還數千倍於 NAND Flash 快閃記憶體，因此可以用於兼做記憶體和硬碟等用途，甚至整合兩者的用途。另外，還有一項關鍵因素，那就是 eMRAM 對生產製程的要求不高，成品良率也比較高，這就可以使製造商更簡單的控制成本，使得最後產品的價格不會高得離譜。

報導進一步指出，當前在市場上除了格芯外，另外還有包括英特爾、IBM、TDK、三星、希捷 (SEAGATE) 等科技大企業多年來也一直都進行著 eMRAM 的研究。對此，格芯表示，使用其 22FDX 製程技術所生產的 eMRAM 測試晶片已經完成，在錯誤檢查與糾正 (Error Correcting Code;ECC) 的測試下，自 -40°C 到 125°C 的工作溫度間，具有 10 萬個週期的耐久性和 10 年的資料保持能力。

另外，格芯還指出，其所生產出的 eMRAM 測試產品目前已經通過標準的可靠性測試，包括 LTOL （168小時）、HTOL （500 小時） 和 5x 焊料回流，故障率 <1ppm，而生產中的的磁抗擾性問題也得到了有效解決。而格芯接下來將在德國德勒斯登的 12 吋 Fab 1 晶圓廠進行 22FDX 製程技術來生產 eMRAM，而格芯所生產的 eMRAM 已經有多個客戶預計使用。

(首圖來源:格芯官網)