美光將正式量產全球首款搭載 LPDDR5 DRAM 的多晶片封裝 uMCP5

美商記憶體大廠美光科技（Micron）於 21 日宣布推出業界首款搭載 LPDDR5 DRAM 的通用快閃記憶體儲存（UFS）多晶片封裝 uMCP5。美光的 uMCP5 現已準備進行量產，該產品在緊密設計的封裝中結合高效能、高容量和低功耗的記憶體和儲存空間，使智慧型手機能夠以更快的速度和功耗效率處理資料密集型 5G 工作負載量。

美光之前曾於 3 月份時宣布 uMCP5 產品送樣。而以此為基礎，美光所推出的 uMCP5 做為首款搭載新一代 UFS NAND 儲存和低功耗 DRAM 的多晶片封裝，將為手機市場樹立新標準。事實上，當前智慧型手機必須儲存和處理大量資料，已達到 LPDDR4 規格的中階晶片組的記憶體頻寬極限，導致影片解析度降低、延遲嚴重和功能受限。因此，藉助 LPDDR5，美光將記憶體頻寬從 3,733 Mb/s 大幅提升至 6,400 Mb/s，即使在使用處理大量數據的功能時，也能為手機用戶帶來無縫的即時體驗。

美光還強調，此多晶片封裝採用美光的 LPDDR5 記憶體、高可靠性的 NAND 以及領先的 UFS 3.1 控制器，支援過去只有在使用獨立記憶體和儲存裝置等產品的昂貴旗艦機種中才能看到的進階手機功能。而且伴隨著搭載於更多的高階手機，影像識別、進階人工智慧（AI）、多鏡頭支援、擴增實境（AR）和高解析度顯示等新興技術，將能供越來越多的消費者使用。此外，uMCP5 專為次世代 5G 裝置設計，可輕鬆快速處理和儲存大量數據，而不影響效能或功耗。高效能記憶體和儲存裝置讓 uMCP5 得以全面支援 5G 下載速度，且能同時執行更多應用程式。

美光進一步指出，其 uMCP5 產品的優點，首先是因為 LPDDR5 與 LPDDR4 相比，功耗效率提升近 20%，而且美光的 UFS 3.1 較前一代的 UFS 2.1 功耗降低約 40% 的情況下，對於智慧型手機用戶而言就意味著電池壽命的延長，即使在使用耗電的多媒體應用程式或資料密集型功能（如 AI、AR、影像識別、遊戲、沉浸式娛樂等）時也是如此。其次，美光的 uMCP5 釋放 5G 效能的全部潛力，與美光之前 UFS 2.1 規格的解決方案相比，用戶的持續下載速度提高 20%。

另外，美光的 uMCP5 NAND 也將耐用性提升約 66%，達到 5,000 次寫入 / 抹除週期（P/E cycles）。使得在不降低裝置效能的前提下，成倍增加裝置可編程和清除的次數和數據量，即使是最重度的使用者，也能延長智慧型手機的使用壽命。再加上搭載 uMCP5 的裝置將支援高達 6,400 Mb/s 的最大 DRAM 頻寬，較上一代 LPDDR4x 的 4,266 Mb/s 頻寬提升 50%。這使得手機用戶可以在不影響體驗的情況下對多個應用程式進行多工處理。頻寬的提升還能為智慧型手機中 AI 驅動的運算攝影實現更高品質的影像處理，為用戶提供專業攝影功能。

最後，美光的 uMCP5 還採用了最快的 UFS 3.1 規格儲存介面，與美光上一代 UFS 2.1 產品相比，連續讀取效能提高一倍，寫入速度提高 20%。而美光還利用其多晶片封裝專長和已知的製造和封裝技術，以盡可能緊密的外形尺寸設計 uMCP5，達到更纖薄、更靈活的智慧型手機設計。與獨立的解決方案（即 LPDDR5 和 UFS 的獨立版本）相比，使用美光封裝的裝置可以節省 55% 的印刷電路板空間。空間的節省使手機製造商能夠盡可能擴大電池尺寸或增加功能，如鏡頭、手勢裝置或感應器。美光提供多種容量配置，有高達 12 Gigabyte（GB）的 LPDDR5 和 512GB 的 NAND。

美光指出，uMCP5 現已準備量產，有 4 種不同容量配置，包括 128＋8GB、128＋12GB、256＋8GB 和 256＋12GB 等。

(首圖來源:美光提供)