台積電.英特爾.三星齊呼籲！ 盼光罩升級「6x12吋」
在AI浪潮下，半導體業又要出現全新變革了！包括台積電、英特爾以及三星，三大龍頭廠都在8日宣布，要擴大跟荷蘭設備廠艾司摩爾(ASML)的合作關係，而且還喊話業界，將光罩的規格從現行的6吋升級成更大的12吋，因為這樣就能進一步降低晶片的生產成本，以因應日益龐大的AI需求。台灣的微影設備供應鏈可望因此大大受惠。
可別小看這設備，單價要上億美元，它就是鼎鼎大名的艾司摩爾EUV，能用光把電路圖「印」到晶圓上，最先進的「High NA EUV」更能把電路「印」得更細，如今半導體界想讓光罩再進化，連接電路圖時，現行6X6吋的光罩會先「印」一半再接另一邊，「拼接」過程必須非常精準，業界希望能改成6X12吋，就能一次把整張圖「印」完整，讓晶片更小、更快也更節能，降低製造成本以提升生產力，台經院產經資料庫總監劉佩真說：「儘管前期在基礎設施的一個改建，會比較複雜一些而且比較昂貴，(但是)能夠有效地來克服，未來不管是在技術，或者是在這個，精進量產上的規模的一個障礙。」
產業巨頭還在同一天對外釋出最新布局，台積電2030年開始，先進製程就要導入High NA，力拚2031年前建立12吋光罩試產線，2033年前就能支援量產，第一家採用High NA的英特爾，已經將技術應用在超過百萬片晶圓，三年前就在呼籲光罩要改6X12吋，三星也加入倡議行列，而且最晚2028年，要把High NA導入DRAM量產。
「護國神山」明確列出目標時程，英特爾則首度曝光現行成果，而三星想在記憶體領域拔得頭籌，台經院產經資料庫總監劉佩真說：「高額的設備的一個成本，還有極高的一個，技術導入的一個風險，設備商跟晶片的一個製造的巨頭，必須要緊密地結盟，來降低單打獨鬥的一個壓力。」AI應用需求暴增，電晶體架構更加複雜，得用EUV曝光的光罩層數隨之增加，半導體巨擘紛紛強調跟ASML深化合作，都想引領產業轉移升級。