世界先進氮化鎵添戰力 獲晶圓一哥技術授權
世界先進（5347）昨（28）日宣布，已與台積電（2330）簽署高壓（650V）與低壓（80V）氮化鎵（GaN）製程技術授權協議，有助世界加速開發並拓展新一代氮化鎵電源元件，搶攻資料中心、車用電子、工業控制與能源管理等高效率電能轉換商機。
台積電去年7月宣布，考量市場與長期業務策略，決定在未來二年內逐步退出氮化鎵業務，業界解讀，台積電昨天將氮化鎵技術授權世界，就是落實相關策略。世界在取得台積電授權後，氮化鎵技術將大躍進。
世界表示，未來將精準打造一個能與現有製程平台無縫接軌的氮化鎵製程平台，並於旗下成熟8吋晶圓生產平台上驗證，以確保製程穩定性與高良率。相關開發作業預計2026年初啟動，2028年上半年量產。
透過此次授權，世界將擴展矽基底功率氮化鎵（GaN-on-Si）製程至高壓應用領域，並提供完整的GaN-on-Si平台，結合原有的新基底功率氮化鎵（GaN-on-QST）製程平台，成為全球唯一能同時提供矽基底功率及新基底功率，兩種不同基板氮化鎵製程的晶圓製造服務公司，可支援自低壓（小於200V）、高壓（650V）乃至超高壓（1200V）的完整產品解決方案，進一步強化高效率電能轉換領域技術布局。
隨著傳統矽基製程逐漸達其效能極限，氮化鎵以其高效率、高功率密度與小型化特性，已成為新一代電源技術的關鍵材料。
世界強調，該公司正積極建構涵蓋自15V至1200V的氮化鎵製程技術，為客戶提供更靈活且具競爭力的選擇。
世界總經理尉濟時表示，此次技術授權不僅展現世界與台積電持續交流合作的成果，更象徵世界持續致力於推動完整氮化鎵產品解決方案，強化在化合物半導體領域的策略布局。