台積電布局前瞻先進封裝 SoW-X系統級晶圓2027年量產！比CoWoS運算高40倍
全球企業積極布局 AI 算力，AI 運算需求每季翻倍成長，對半導體晶片效能要求不斷提升，已超越摩爾定律，尤其在2奈米以下製程節點，搭配先進封裝技術，能允許晶片放入更多電晶體，藉此提升性能，同步降低成本，因此先進封裝成兵家必爭之地。台積電不僅 CoWoS 產能持續倍增，更積極布局 SoW、SoIC 下一代先進封裝領域，將在2027至2029年量產。
根據工研院產科研究所統計，2026年全球先進封裝市場比重將超過傳統封裝，呈現逐年成長，未來五年年複合成長率將達10.9%；而2.5D/3D IC堆疊技術則為先進封裝的開發核心。
另根據 IDC 研究指出，在輝達、超微、AWS、博通與雲端服務供應商等高效能運算客戶需求推動下，台積電 CoWoS 產能持續倍增，目標將從2024年的33萬片大幅擴充至今年的66萬片，年增100%，其中以 CoWoS-L 產品線年增470%為主要動能，另包括日月光和美國 Amkor 產能也陸續增加中。而台灣設備供應鏈包括濕蝕刻、點膠、揀晶等關鍵製程設備廠商，將在此波擴產潮中獲得更多成長契機。
台積電近年積極布局先進封裝領域，目前 TSMC 3DFabric 技術家族目前已有四大平台，包括 TSMC-SoIC、CoWoS、InFO、TSMC-SoW 等 2.5D/3D解決方案。其中， TSMC-SoIC 平台用於3D矽晶片堆疊，並提供 SoIC-P 和 SoIC-X 兩種堆疊方案；SoIC-X 是一種無凸塊堆疊解決方案，適用於 HPC高效能運算應用。SoIC-P 則是微凸塊堆疊解決方案，適用於講求成本效益如行動式應用的應用。
而 CoWoS、InFO、TSMC-SoW 則用於先進封裝領域。其中，InFO 平台包括 InFO-PoP 和 InFO-2.5D，前者適用於高階行動式應用，後者則適用於高效能運算的小晶片整合。
下一代SoIC 2029年就緒
提到台積電 SoIC 技術，台積電執行副總經理暨共同營運長米玉傑日前於北美技術論壇指出，此技術已自2022年量產；而用於 N3-on-N4（3奈米晶片堆疊在4奈米晶片上）面朝面堆疊、6μm間距的 SoIC 將於今年投產，實現超高密度互連。台積電將繼續減少鍵合間距，下一代 SoIC 即 A14-on-N2（A14堆疊在2奈米晶片上）則將於2029年準備就緒，比第一代 SoIC 互連技術提升20倍。
9.5倍光罩尺寸的CoWoS-L 2027年量產
CoWoS 技術可將先進的 SoC 或 SoIC 晶片與 HBM高頻寬記憶體進行整合，滿足市場對 AI 晶片的嚴苛要求。CoWoS 平台包括成熟度最高、採用矽中介層的 CoWoS-S，以及採用有機中介層的 CoWoS-L 和 CoWoS-R。
米玉傑指出，CoWoS-S 在2012年量產，至今已超過10年，它可支援3.3倍光罩尺寸的中介層。台積電將持續拓展 CoWoS-L 技術，5.5倍光罩尺寸的 CoWoS-L 將於2026年推出；並計劃在2027年量產9.5倍光罩尺寸的 CoWoS-L 解決方案，採用 A16 製程技術的 SoIC 晶片，將12個或更多 HBM4E 堆疊整合到一個封裝中。
SoW-X系統級晶圓 2027年量產
基於 AI 訓練對運算能力需求激增，需要快速擴展邏輯晶片和 HBM記憶體的整合能力，將運算能力提升7倍以上，所以，SoW（System-on-Wafer）系統級晶圓技術應運而生
TSMC-SoW 是台積電最具前瞻性的革命性封裝技術，可支援更大的光罩尺寸，將記憶體或邏輯晶片垂直堆疊在系統晶圓上，藉此滿足下一代 AI 資料中心的需求。
TSMC-SoW 技術包括 SoW-P 和 SoW-X。採用 InFO 技術的「SoW-P」專注邏輯晶片整合，已於2024年量產。今年則發表以 CoWoS 技術為基礎的「SoW-X」，支援邏輯晶片和 HBM記憶體整合，是一個比現有 CoWoS 解決方案高出40倍運算能力的晶圓尺寸系統，計劃於2027年量產。
台積電先進封裝產能提升100%
台積電資深副總經理暨副共同營運長侯永清在技術論壇提及，今年將增加9座新廠，其中有8座是晶圓廠，1座是先進封裝廠。而在 CoWoS 產能部分，自2022年至2026年，CoWoS 產能年複合成長率將達80%。目前 CoWoS-L 在產量的提升表現比 CoWoS-S 還要好，同時也積極增加 SoIC 產能，到了2026年，SoIC 產能將比2022年提升100%。
2025年，台中先進封測5廠即將開始量產 CoWoS，而龍潭、竹南2座封裝廠也會投入更多資源。而位於嘉義、南科的先進封測7廠、8廠正在如火如荼趕工中，將於今年或明年量產。美國亞利桑那則規劃設立2座先進封裝廠。
英特爾也進軍先進封裝技術
至於台積電的競爭對手英特爾近年也積極布局先進封裝。Intel 先進封裝解決方案名為「Foveros」。甫落幕的 Foundry Direct Connect 2025大會上，Intel 宣布 Foveros 新增兩項技術，分別為 Foveros-R 和 Foveros-B，為客戶提供更有效率和彈性的選擇。另推出全新先進封裝技術產品 EMIB-T，可滿足未來高頻寬記憶體需求。
此外，透過 Foveros Direct（3D堆疊）和嵌入式多晶片互連橋接 EMIB（2.5D橋接）技術，將 Intel 14A 製程與 Intel 18A-PT 進行連接，實現系統級整合。
英特爾先進封裝廠位於美國新墨西哥州、奧勒岡州和馬來西亞；新墨西哥廠進行 EMIB 技術開發，該廠甫於4月取得無塵室認證，將於第二季建造完成，未來將提高1.3倍產能。