世界先進攜手台積電簽 GaN 製程授權 2028上半年量產
世界先進（5347）28日宣布，已與台積電（2330）簽署高壓（650V）與低壓（80V）氮化鎵（GaN）製程技術授權協議，將加速開發新一代GaN電源元件，應用鎖定資料中心、車用電子、工業控制與能源管理等高效率電能轉換領域。
世界先進表示，透過此次授權，公司將把矽基底功率氮化鎵（GaN-on-Si）製程擴展至高壓應用，並提供完整GaN-on-Si平台，同時結合既有的新基底功率氮化鎵（GaN-on-QST）製程平台，形成更完整的GaN製程布局。公司強調，藉由同時提供矽基底功率與新基底功率兩種不同基板的氮化鎵製程晶圓製造服務，可支援從低壓（小於200V）、高壓（650V）到超高壓（1200V）的完整解決方案，強化在高效率電能轉換領域的競爭力。
針對時程規畫，世界先進指出，本次授權將打造可與既有平台無縫接軌的GaN製程，並在公司成熟的8吋晶圓生產平台上進行驗證，以確保製程穩定性與高良率；相關開發作業預計2026年初啟動，目標2028年上半年量產。
世界先進總經理尉濟時表示，此次技術授權展現世界先進與台積電持續交流合作成果，也象徵公司推動完整氮化鎵產品解決方案、強化化合物半導體策略布局的決心，未來將加速協助客戶滿足高效能電能轉換需求，推動電源半導體技術邁向新世代。