今年內量產！SK海力士V10 NAND採375層堆疊設計 「鉬取代鎢」有望助力性能提升
全球 NAND Flash 技術競賽再掀新高潮，外電最新報導指出，SK 海力士已完成下一代 V10 系列 375 層 3D NAND 閃存生產驗證，正推進產線轉換，目標 2026 年透過現有工廠升級實現大規模量產，挑戰三星電子在超高堆疊技術的領先地位。
韓媒《THE ELEC》10 日報導，SK 海力士原規劃 V10 世代採用 400 層架構，但因超高層數堆疊的量產工藝難度過高，最終調整為 375 層設計。此次技術迭代最大亮點在於金屬布線層的材料革新，將部分字線 (Word Line) 從傳統鎢 (W) 換為鉬(Mo)。
字線是連接記憶體單位控制柵極的核心線路，負責選擇與操作特定行記憶體單位。
隨著堆疊層數增加，鎢材因線路微縮導致電阻飆升，拖慢信號傳輸速率，且需額外鋪設阻擋層擠占芯片空間。
相比之下，鉬在同等尺寸下電阻更低，無需阻擋層即可直接填充，既能提升數據讀寫速度，又能提高存儲密度。
不過，鉬前軀體常溫下為固態，生產需專用設備高溫加熱並精準控製物料供給，對製程要求嚴苛。SK 海力士在評估後選擇東京電子 (TEL) 的爐式沉積設備，可一次性處理約 100 片晶圓，較 Lam Research 單片處理方案更具成本優勢。
供應鏈方面，液化空氣集團、英特格和默克將供應鉬材料，南韓本土廠商 SK Specialty 也正洽談借用前者供應系統的合作。
數據顯示，三星自 2024 年 4 月量產 286 層第九代 NAND 起已導入鉬材料，今年採購量預計從 4 噸增至 10 噸，2030 年或達 80 噸。SK 海力士明年起大規模導入鉬工藝，初期年採購量也將達 4 噸。隨著 3D NAND 向 600 層以上邁進，鉬材料有望成為超高堆疊時代的核心關鍵。
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