三星加速8層HBM4E開發 堆疊高度下降、速度再提升兩成
三星電子Samsung Electronics(005930-KR)正加速開發8層HBM4E高頻寬記憶體，並與大型科技客戶共同推進產品驗證，目標2027年上半年量產。新產品除降低堆疊高度，傳輸速度規格也計畫提高約20%，顯示AI記憶體競爭已從HBM4量產，提前轉向下一世代HBM4E。
三星HBM4E目標頻寬達3.25 TB/s、每腳傳輸速度11 Gbps，效能約為HBM3E的2.5倍，預計2026年下半年開始提供樣品，初期量產良率目標70%。對三星而言，HBM4E不只是產品升級，更是縮小與SK海力士SK hynix(000660-KR)差距、重新爭取主要AI客戶的關鍵產品。
目前三大記憶體廠中，SK海力士進度最快，2026年6月已向主要客戶提供12層HBM4E樣品，韓國產線預計2027年進入量產；三星則鎖定2027年上半年。美光Micron(MU-US)尚未公布明確HBM4E量產時間，市場預估最快可能落在2027年下半年至2028年，且HBM4E底層邏輯裸片（Logic die）將委由台積電(2330-TW)代工。
隨AI模型參數與推論工作量增加，GPU周邊記憶體頻寬、功耗與散熱逐漸成為系統瓶頸。HBM4E若能以更薄堆疊提供更高頻寬，不僅有利先進封裝密度與散熱，也將同步提高晶圓製造、封裝、測試設備及材料規格，帶動相關供應鏈認證與資本支出提前。