戰川普偷晶片說 曹興誠揭台積電「化公為私」歷史、政府不敢反駁
Newtalk新聞
對於美國總統川普屢說台灣偷走美國晶片技術，聯電創辦人曹興誠今(20)日回顧台灣當年半導體發展過程，並稱初創的台積電當年同無償租用工研院「示範工廠」3年半，他質疑張忠謀「化公為私」，差點被聯電解聘。對於川普的說法，台灣政府或台積電至今對此全無澄清，失職失能極其嚴重。
曹興誠今日在臉書發文表示，川普說台灣偷了美國的半導體技術，絕非事實，行政院應該公開澄清。
曹興誠說，美國總統川普訪中（川習會）後，於北京接受福斯新聞（Fox News）主播布萊特·拜爾（Bret Baier）與漢尼提（Sean Hannity）的專訪，再度公開指責台灣偷竊了美國的半導體技術；奇怪的是，台灣政府或台積電至今對此全無澄清，失職失能極其嚴重。
曹興誠說，台灣的半導體技術當初是向美國購買的。雙方於 1976 年 3 月 5 日，由工業技術研究院（工研院）代表台灣與美國RCA 公司正式簽署合約，合約為期10年。合約金額為350 萬美元，分為兩個部分：技術移轉費 250 萬美元和技術授權金100萬美元。
曹興誠說，在當時台灣國民平均年所得不到 400 美元的年代，這是一筆極為龐大的國家賭注。政府當年為整個「積體電路計畫」編列了約 1,000 萬美元（約合當時新台幣 4 億元）的專案預算，除了支付給 RCA 的 350 萬美元技術費用外，其餘资金則用於興建台灣第一座 3 吋晶圓「示範工廠」，以及分批派遣年輕工程師（包括我，史欽泰、曾繁城、劉英達、蔡明介等20餘人）前往美國 RCA 總部接受實地培訓。
曹興誠表示，1976年我們向RCA 購買的是7微米的CMOS技術，而當時美國尖端技術是3.5 微米的NMOS技術。我們所以選擇CMOS ，一是因爲購買CMOS 技術的費用便宜，二是CMOS 較省電，適合用於低階消費性產品，可以配合台灣消費電子業的發展。
曹興誠指出，3吋晶圓廠和7微米技術可說非常低微的起步。但工研院電子所的這座「示範工廠」示範得相當成功，於是政府決定，由電子所技術移轉給1980年成立的聯華電子公司，另行建立4吋晶圓廠，以走向民間和商業化。為了支付工研院的技術移轉，聯電成立時免費給了經濟部15%的技術股。
曹興誠說，聯華電子公司在他的帶領下，於1983年就創造了每股近七元的淨利，並在1985年成功上市。受到聯電成功的激勵，1983年，政府決定在工研院內，再建一座3微米技術的6吋晶圓示範工廠。投入了經費約一億美元，花費四年，研發完成了3微米技術同時培養出了約400名工程師。
曹興誠說，1987年，這些工程師全數「轉進」新成立的「台灣積體電路公司」，並回頭「租用」該示範工廠，讓台積電成立的第一天就擁有了3微米的進步技術和嶄新的可以商業化的工廠。台積電租用工研院「示範工廠」的費用極為低廉，每年僅2百萬美金，事先還由經濟部支付給台積電7百萬美元當成「研發費用」，等於讓台積電無償使用「示範工廠」3年半，這就是台積電業務一開始就能順利起飛的原因。
曹興誠強調，台積電以這樣的方式「取得」了3微米技術和工廠，而當時張忠謀先生同時兼任工研院和台積電的董事長，當然有「化公為私」的爭議；他當年就公開提出質疑，要求聯電可以參與「租用」的比價競爭；結果遭到政府打壓，還差點因此被聯電董事會解聘。或許因為如此，台積電對於其技術來源始終避而不談，面對美國一再侮辱台灣偷竊美國技術，台積電也默不作聲。
曹興誠說，川普一再指責台灣偷竊美國半導體技術，後果相當嚴重。除了外交上的不友善，川普也以此為藉口，逼迫台灣去美國設廠，以求拆除台灣的「矽盾」。台灣不宜再悶著頭挨罵，不敢辯駁。
曹興誠說，他因此強烈建議行政院、工研院、台積電，針對台灣半導體技術的來源和多年來台灣不斷投入鉅額資源、艱苦研發的經過，召開國際記者會詳細說明，以正國際視聽。